[發(fā)明專利]一種刻蝕方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911382651.0 | 申請日： | 2019-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN111063798A | 公開（公告）日： | 2020-04-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊美音;高建峰;羅軍;崔巖;許靜 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 劉曉菲 |
| 地址： | 100029 北京市朝陽*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 刻蝕 方法 | ||
1.一種刻蝕方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底上從下至上依次形成有底層電極膜層、固定磁性膜層、隧穿絕緣膜層、自由磁性膜層、頂層電極膜層；
分別對所述頂層電極膜層、所述自由磁性膜層和所述隧穿絕緣膜層進行刻蝕，形成頂層電極層、自由磁性層和隧穿絕緣層的堆疊層；
在所述堆疊層的側(cè)壁形成側(cè)墻；所述側(cè)墻在對所述固定磁性膜層進行刻蝕形成固定磁性層的過程中保護所述堆疊層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述堆疊層的側(cè)壁形成側(cè)墻，包括：
沉積側(cè)墻材料，以覆蓋所述堆疊層的側(cè)壁、暴露出的所述固定磁性膜層的上表面和所述頂層電極層的上表面；
去除所述固定磁性膜層和所述頂層電極層的上表面的側(cè)墻材料，以形成在所述堆疊層側(cè)壁的側(cè)墻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述分別對所述頂層電極膜層、所述自由磁性膜層和所述隧穿絕緣膜層進行刻蝕，形成頂層電極層、自由磁性層和隧穿絕緣層的堆疊層，包括：
在所述頂層電極膜層上形成圖案化的硬掩模；
以所述硬掩模為掩蔽，利用各向異性的干法刻蝕，分別對所述頂層電極膜層、所述自由磁性膜層和所述隧穿絕緣膜層進行刻蝕，形成頂層電極層、自由磁性層和隧穿絕緣層的堆疊層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述對所述固定磁性膜層進行刻蝕形成所述固定磁性層的過程中，利用各向異性的干法刻蝕，以所述硬掩模和所述側(cè)墻為掩蔽。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述固定磁性層后，所述方法還包括：
沉積保護材料，形成保護層；所述保護層材料為氮化硅、碳化硅、氮化鉭、二氧化硅中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求3-5任意一項所述的方法，其特征在于，所述硬掩模為氮化硅、氮氧化硅、氮化鈦、無定形碳、硅、碳化硅、氮化鉭、氧化硅中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材料為氮化硅、碳化硅、氮化鉭、二氧化硅中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的方法，其特征在于，所述固定磁性膜層包括釘扎層和所述釘扎層上的被釘扎層，所述釘扎層為鈷鉑合金、鈷鈀鉑錳合金、鈀錳合金、鐵錳合金、鈷鉑多層膜、鈷鈀多層膜中的至少一種，所述被釘扎層為鐵鎳合金、鈷鐵合金、鎳鐵鎘合金、鈷鐵硼中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的方法，其特征在于，所述自由磁性膜層為鈷鐵合金和/或鈷鐵硼合金。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的方法，其特征在于，所述隧穿絕緣膜層為氧化鋁、氧化鍶、氧化鋇、氧化鐳、氧化鎂、氧化鉿中的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的方法，其特征在于，所述頂層電極膜層為氮化鈦、鉭、鉑錳、釕、銅、鎢或鋁中的至少一種，所述底層電極膜層為氮化鈦、鉭、鉑錳、釕、銅、鎢或鋁中的至少一種。
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