[發明專利]紫外線發光元件

在審

• 申請號: 201911375187.2
• 申請日: 2017-01-11
• 公開（公告）號: CN111129248A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 張成逵;趙弘錫;李圭浩;印致賢
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/48;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/62;H01L33/02;H01L23/48
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 姜長星;李盛泉

本發明提供一種紫外線發光元件，包括：基板；第一導電型半導體層，布置于基板；臺面，布置于第一導電型半導體層，包含第二導電型半導體層及活性層；第一接觸電極，與暴露于臺面周圍的第一導電型半導體層接觸；第二接觸電極，在臺面上接觸第二導電型半導體層；鈍化層，覆蓋第一接觸電極、臺面及第二接觸電極，具有開口部；第一凸起電極及第二凸起電極，通過鈍化層的開口部電連接于第一接觸電極及第二接觸電極，其中，臺面在從上部觀察時具有多個凹陷部，第一接觸電極以預定間隔與臺面隔開，形成為包圍臺面，在多個凹陷部內接觸于第一導電型半導體層，第一凸起電極及第二凸起電極分別覆蓋鈍化層的開口部，還覆蓋鈍化層的一部分。

本申請是申請日為2017年1月11日、申請號為201780006654.7、題為“紫外線發光元件”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種紫外線發光元件，尤其涉及一種能夠提高光提取效率的紫外線發光元件。

背景技術

最近，為了改善發光效率并解決散熱問題，對倒裝芯片形態的發光元件的關注正在增加。

倒裝芯片結構的發光元件與現有的發光元件相比散熱效率高，并且幾乎沒有遮光，因此與現有的發光元件相比具有光效率提高了50％以上的效果。但是，即使有這樣的優點，倒裝芯片結構的發光元件也可能存在如下缺點。

N型半導體層，尤其是在紫外線發光元件中使用的N型半導體層與金屬相比導電率非常低。因此，N型半導體層、活性層及P型半導體層之間的電流可能發生沿著電阻低的特定路徑密集的現象。例如，電流可以沿著N型半導體層內的具有較低的電阻的特定路徑而形成于活性層及P型半導體層之間。

若發生這樣的現象，則貫穿活性層的整個面積而不發光，因此可能導致發光效率低下且可靠性低下。為了克服這一問題，可能發生需要提高工作電壓的問題以及為了增加光量而需要額外的技術的問題。

發明內容

技術問題

本發明要解決的課題在于，提供一種能夠消除在半導體層內部電流流動密集的現象并提高電流擴散(current spreading)程度(degree)的發光元件，尤其是紫外線發光元件。

本發明的目的并不限制于上述內容，未提及的本發明的其他目的及優點可以通過下面的說明得到理解。

技術方案

根據本發明的一實施例的紫外線發光元件包括：基板；第一導電型半導體層，布置于所述基板上；臺面，布置于所述第一導電型半導體層上，并包含第二導電型半導體層及布置于所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層之間的活性層；第一接觸電極，與暴露于所述臺面周圍的第一導電型半導體層接觸；第二接觸電極，在所述臺面上接觸于所述第二導電型半導體層上；鈍化層，覆蓋所述第一接觸電極、所述臺面及所述第二接觸電極，并具有布置于所述第一接觸電極及所述第二接觸電極上部的開口部；以及第一凸起電極及第二凸起電極，通過所述鈍化層的開口部分別電連接于所述第一接觸電極及第二接觸電極，其中，所述臺面在從上部觀察時具有多個凹陷部，所述第一凸起電極及所述第二凸起電極分別覆蓋所述鈍化層的開口部，并且還覆蓋所述鈍化層的一部分。

進而，所述第一接觸電極至少可以在所述臺面的凹陷部內接觸于所述第一導電型半導體層。

所述紫外線發光元件還可以包括：第一焊盤電極，布置于所述第一接觸電極上；以及第二焊盤電極，布置于所述第二接觸電極上，其中，所述鈍化層的開口部使所述第一焊盤電極及所述第二焊盤電極暴露，所述第一凸起電極及第二凸起電極分別通過所述開口部連接于所述第一焊盤電極及所述第二焊盤電極。

進而，所述第一焊盤電極及所述第二焊盤電極可以利用彼此相同的金屬材質形成。

并且，所述紫外線發光元件還可以包括：階梯防止層，布置于所述第一接觸電極與所述第一焊盤電極之間。