[發(fā)明專利]閃存器件的制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201911373634.0
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN111129020A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設計）人: 徐杰;高超;杜怡行
• 申請（專利權(quán)）人: 華虹半導體（無錫）有限公司;上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L27/11521
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種閃存器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底，所述襯底上依次形成有隧穿氧化層、浮柵層、ONO結(jié)構(gòu)、控制柵層，所述襯底包括存儲單元區(qū)域和外圍區(qū)域，所述存儲單元區(qū)域用于制作第一柵極，所述外圍區(qū)域用于制作第二柵極；

形成硬掩膜層，并在所述硬掩膜層打開第一柵極窗口；

沉積間隔氧化層，并根據(jù)溝道長度在所述間隔氧化層刻蝕出字線窗口；

依次去除所述字線窗口下的控制柵層、ONO結(jié)構(gòu)；

沉積氮化硅層，并刻蝕所述氮化硅層露出浮柵層；

根據(jù)所述第二柵極的高度，通過刻蝕工藝降低所述間隔氧化層的高度；

依次去除露出的浮柵層、隧穿氧化層；

沉積多晶硅，并進行CMP直到露出硬掩膜層，形成字線；

根據(jù)所述第二柵極的高度，刻蝕所述字線的頭部，刻蝕后的字線的高度與所述第二柵極的高度相等。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

去除所述硬掩膜層；

形成所述第一柵極的柵極側(cè)墻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積多晶硅，并進行CMP直到露出硬掩膜層，形成字線之前，還包括：

沉積氧化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第二柵極的高度，通過刻蝕工藝降低間隔氧化層的高度，包括：

根據(jù)所述第二柵極的高度，通過濕法刻蝕工藝降低所述間隔氧化層的高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述存儲單元區(qū)域和外圍區(qū)域有淺溝槽隔離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述浮柵層和所述控制柵的材料為多晶硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述ONO結(jié)構(gòu)由氧化層、氮化硅層、氧化層自下而上堆疊形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述氧化層的材料為二氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材料為氮化硅。