[發明專利]光生伏打電池制造

有效

• 申請號: 201210356786.1
• 申請日: 2008-09-01
• 公開（公告）號: CN103000756A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: R.A.巴多斯;T.特魯普克
• 申請（專利權）人: BT成像股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;G01N21/95
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬麗娜;王忠忠

1.一種制造至少一個半導體光伏器件的方法，所述方法包括以下步驟：

獲得與半導體光伏器件制造工藝的至少一個階段相關聯的至少一個半導體晶片的多個圖像；

對所述多個圖像中的至少兩個圖像進行比較，以便識別出所述至少一個晶片中的瑕疵的發生或增大；以及

確定所識別出的這種瑕疵的發生或增大是否超出預定的可接受度水平。

2.根據權利要求1的方法，其中，所述半導體光伏器件是晶片、光生伏打電池或光生伏打模塊。

3.根據權利要求1或2的方法，其中，所述圖像是發光圖像。

4.根據權利要求1或2的方法，其中，所述瑕疵的發生或增大是由從晶片生產到模塊生產的制造工藝當中的一個或多個階段所引發的。

5.根據權利要求1或2的方法，其中，當所識別出的瑕疵超出預定的可接受度水平時，丟棄所述半導體晶片、矯正所述瑕疵以及/或者將所述晶片發送到替換制造工藝。

6.根據權利要求1或2的方法，其中，所述至少一個半導體晶片由多晶硅形成。

7.根據權利要求1或2的方法，其中，所述瑕疵包括晶片、光生伏打電池或光生伏打模塊中的機械瑕疵、電瑕疵或外觀瑕疵當中的一種或多種。

8.根據權利要求7的方法，其中，所述瑕疵包括多晶硅晶片或單晶硅晶片中的裂縫、旁路、晶體缺陷或污染，或者包括多晶硅晶片或單晶硅晶片的裂縫、旁路、晶體缺陷或污染。

9.根據權利要求1或2的方法，其中，所述至少兩個圖像是在所述半導體光伏器件制造工藝中的不同位置處取得的單一晶片的多個圖像。

10.根據權利要求9的方法，其中，獲得所述至少一個半導體晶片的所述多個圖像發生在所述半導體光伏器件制造工藝的一個階段之前和/或之后。

11.根據權利要求10的方法，其中，獲得所述至少一個半導體晶片的所述多個圖像發生在所述半導體光伏器件制造工藝的多個階段之前和/或之后。

12.根據權利要求10的方法，其中，獲得所述至少一個半導體晶片的所述多個圖像發生在所述半導體光伏器件制造工藝的以下階段中的至少一個階段之前和/或之后：

（i）晶片鋸制；

（ii）晶片的鋸損傷蝕刻；

（iii）發射極擴散；

（iv）氮化硅沉積；

（v）在晶片上形成金屬接觸；

（vi）晶片的熱處理；

（vii）邊緣隔離；

（viii）由晶片制造的光生伏打電池的電測試；以及

（ix）將光生伏打電池合并到光生伏打模塊中的過程中的一個或多個階段。

13.根據權利要求1或2的方法，還包括對所述多個圖像中的每一個進行處理，以便獲得與所述至少一個半導體晶片中的瑕疵的發生相關的度量。

14.根據權利要求13的方法，其中，所述處理包括檢測每個圖像內的空間特征并且把來自所述至少一個半導體晶片的至少兩個圖像的空間特征信息進行比較，以便揭示已經產生或改變的那些空間特征。

15.根據權利要求14的方法，其中，所述空間特征是從包括邊緣、線、晶粒間界、位錯線以及減小發光信號的區域的組當中選擇的。

16.根據權利要求1或2的方法，還包括對所述多個圖像執行模式識別的步驟。

17.根據權利要求1或2的方法，還包括確定與所述半導體光伏器件制造工藝的相應階段相關聯的瑕疵發生和/或增大的統計量，從而評估該相應階段的性能水平。

18.根據權利要求1的方法，其中，所述至少兩個圖像是在所述半導體光伏器件制造工藝的一個位置處取得的電結構相似的兩個晶片的圖像。

19.根據權利要求18的方法，其中，所述兩個晶片源自相同源材料。

20.根據權利要求19的方法，其中，所述兩個晶片最初是相鄰的并且是從所述源材料連續得到的。