[發明專利]一種切片定位的方法

有效

• 申請號: 201911363187.0
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN111146130B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 米琳;李志國;寧威
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L23/544
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發明提供一種切片定位的方法，將缺陷依據die劃分形成相對于整個晶圓die劃分的絕對die位置坐標；將缺陷依據該缺陷所在shot的位置形成相對于該shot的相對die位置坐標；將缺陷依據該缺陷所在die的位置形成相對于該die的相對數值位置坐標；選定與缺陷在同一die中的參考缺陷，建立包含缺陷和參考缺陷的虛擬區域，并計算缺陷相對于虛擬區域的相對數值位置坐標。本發明適用于晶圓失效分析切片定位，利用YE機臺掃描提供的坐標，建立虛擬die相對坐標體系，通過換算計算出缺陷相對位置，提供給失效分析用以精確定位，其具有避免晶圓污染，快速換算出缺陷相對位置利于失效分析切片，節約成本。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，特別是涉及一種切片定位的方法。

背景技術

隨著工藝提升，在線缺陷越來越小，對于成熟的半導體工藝制程，主要包括線下(offline)、在線(inline)、WAT測試以及缺陷(defect)等數據。其中defect在半導體工藝流程的每一步都會產生，且不同工藝步驟引入的defect種類、數量及分布都不一樣，對于產品質量的影響程度也不盡相同。同時為了進一步分析缺陷成因，需要切片微觀分析；傳統的做法是，YE提供缺陷坐標，在線FIB根據缺陷坐標自動找點并取樣，最后失效分析進行切片。同時在線FIB切片對晶圓會產生大量顆粒對晶圓造成污染風險，影響產品良率的提升。

因此，需要提出一種新的方法可以既不污染晶圓，又能精確確定缺陷的位置，有助于能進一步確定需要進行切片的位置。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種切片定位的方法，用于解決現有技術中因在線FIB切片對晶圓會產生大量顆粒對晶圓造成污染風險，影響產品良率的提升的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種切片定位的方法，該方法至少包括以下步驟：

步驟一、提供缺陷在晶圓上的絕對數值位置坐標；

步驟二、將晶圓進行shot和die的劃分；將所述缺陷依據所述die劃分形成相對于整個晶圓die劃分的絕對die位置坐標；

步驟三、將所述缺陷依據該缺陷所在shot的位置形成相對于該shot的相對die位置坐標；

步驟四、將所述缺陷依據該缺陷所在die的位置形成相對于該die的相對數值位置坐標；

步驟五、選定與所述缺陷在同一die中的參考缺陷，建立包含所述缺陷和參考缺陷的虛擬區域，并計算所述缺陷相對于所述虛擬區域的相對數值位置坐標。

優選地，步驟一中所述缺陷的絕對數值位置坐標由良率工藝提供。

優選地，步驟二中將所述晶圓進行shot的劃分方法是：每個shot劃分為9*13的矩陣，每個矩陣單元為一個die。

優選地，步驟五中所選定的參考缺陷個數為一個。

優選地，步驟五中計算所述缺陷相對于所述虛擬區域的相對數值位置坐標的方法包括：提供所述參考缺陷相對于該參考缺陷所在die的相對數值位置坐標。

優選地，步驟五中計算所述缺陷相對于所述虛擬區域的相對數值位置坐標的方法包括：(1)將所述虛擬區域在縱向劃分為多個等分，每個等分為一個虛擬單元；(2)將所述參考缺陷所在的虛擬單元投影至所述缺陷所在的虛擬單元；(3)將所述缺陷所在的虛擬單元劃分為多個等分，(4)所述缺陷相對于其所在die的數值位置坐標減去所述參考缺陷在該die中的相對數值位置坐標，得到坐標差；(5)用所述坐標差除所述等分的個數得到所述缺陷相對于所述虛擬區域的相對數值位置坐標。

優選地，步驟(3)中將所述缺陷所在的虛擬單元分別在橫向和縱向上劃分為多個等分。