[發(fā)明專利]一種大滿阱低噪聲的圖像傳感器結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911360323.0
• 申請(qǐng)日: 2019-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN111326535A
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓恒利;龔婧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所
• 主分類號(hào): H01L27/148
• 分類號(hào): H01L27/148
• 代理公司: 重慶輝騰律師事務(wù)所 50215
• 代理人: 王海軍

1.一種大滿阱低噪聲的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，包括垂直區(qū)和水平區(qū)，電荷從垂直區(qū)向水平區(qū)轉(zhuǎn)移，其特征在于，所述水平區(qū)包括小信號(hào)水平區(qū)、勢(shì)壘以及大信號(hào)水平區(qū)，其中小信號(hào)水平區(qū)與高CVF放大器連接，大信號(hào)水平區(qū)與低CVF放大器連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大滿阱低噪聲的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，水平區(qū)的橫向尺寸均與像元尺寸保持一致，大信號(hào)水平區(qū)的縱向尺寸與小信號(hào)水平區(qū)的縱向尺寸之比大于5。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大滿阱低噪聲的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，水平區(qū)間勢(shì)壘電勢(shì)高于小信號(hào)水平區(qū)的勢(shì)阱電勢(shì)，小信號(hào)水平區(qū)的勢(shì)阱電勢(shì)高于大信號(hào)水平區(qū)的勢(shì)阱電勢(shì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大滿阱低噪聲的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，高CVF放大器的放大范圍為10-500倍，低CVF放大器的方法范圍為1-10倍。

5.一種大滿阱低噪聲的圖像傳感器結(jié)構(gòu)的制備方法，依次包括硅襯底氧化、P阱注入、埋溝注入、溝阻注入、多晶硅工藝、源漏注入工藝、接觸孔制作、金屬引線制作以及微透鏡制作，其特征在于，在埋溝注入階段形成小信號(hào)水平區(qū)與大信號(hào)水平區(qū)之間的勢(shì)壘。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種大滿阱低噪聲的圖像傳感器結(jié)構(gòu)的制備方法，在埋溝注入階段形成小信號(hào)水平區(qū)與大信號(hào)水平區(qū)之間的勢(shì)壘的過程包括：

在小信號(hào)水平區(qū)、水平區(qū)間勢(shì)壘、大信號(hào)水平區(qū)的位置進(jìn)行一次埋溝注入N型摻雜；

在大信號(hào)水平區(qū)和水平區(qū)間勢(shì)壘分兩別注入不同劑量能量的P型摻雜雜質(zhì)，其中水平區(qū)間勢(shì)壘處的注入劑量要大于大信號(hào)水平區(qū)的注入劑量。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種大滿阱低噪聲的圖像傳感器結(jié)構(gòu)的制備方法，在埋溝注入階段形成小信號(hào)水平區(qū)與大信號(hào)水平區(qū)之間的勢(shì)壘的過程包括：分兩次在小信號(hào)水平區(qū)和大信號(hào)水平區(qū)進(jìn)行兩次劑量有差異的埋溝注入，其中小信號(hào)水平區(qū)的注入劑量高于大信號(hào)水平區(qū)，水平區(qū)間勢(shì)壘不注入或者注入劑量低于大信號(hào)水平區(qū)的N型雜質(zhì)注入或者進(jìn)行P型雜質(zhì)注入。