[發明專利]Si-P膜層材料的制備方法

有效

• 申請號: 201911354017.6
• 申請日: 2019-12-25
• 公開（公告）號: CN111118565B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 周瓊宇;李媛媛;王小芬
• 申請（專利權）人: 佛山科學技術學院
• 主分類號: C25D9/04
• 分類號: C25D9/04;C25D5/24;C25D5/18;H01M4/38;H01M10/0525
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 朱繼超

1.一種Si-P膜層材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：將乙腈與四乙基氯化銨混合制成基礎電解液，加入硅源和磷源后進行電沉積，從金屬Ni基底電極表面即可獲得所述Si-P膜層材料，其中，所述磷源選自三氯化磷、氯化磷、三溴化磷或五溴化磷；所述三氯化磷的濃度為2.5～5mol/L；所述氯化磷的濃度為2～10mol/L；所述三溴化磷的濃度為1～6mol/L；所述五溴化磷的濃度為0.5～10mol/L；所述電沉積為脈沖電沉積，其電流密度范圍為0.05～35A/dm²，脈沖頻率為500～12000Hz，占空比15～85％。

2.根據權利要求1所述的Si-P膜層材料的制備方法，其特征在于，所述硅源選自三氯氫硅、四氯化硅、三溴氫硅或四溴化硅。

3.根據權利要求2所述的Si-P膜層材料的制備方法，其特征在于，所述三氯氫硅的濃度為2.5～8mol/L；所述四氯化硅的濃度為0.5～5mol/L；所述三溴氫硅的濃度為2～5mol/L；所述四溴化硅的濃度為1～10mol/L。