[發明專利]半導體器件的形成方法

在審

• 申請號: 201911338309.0
• 申請日: 2019-12-23
• 公開（公告）號: CN113097056A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 紀世良;劉盼盼;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 唐嘉

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供目標刻蝕層，在所述目標刻蝕層上依次形成初始掩膜層、抗反射層以及圖形化結構；

以所述圖形化結構為掩膜，對所述抗反射層進行第一次刻蝕，去除部分厚度的所述抗反射層；

對所述圖形化結構進行表面處理；

對所述抗反射層進行第二次刻蝕，直至露出所述初始掩膜層的表面。

2.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，采用等離子體工藝對所述圖形化結構進行表面處理。

3.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述等離子體工藝的工藝氣體包括HBr或H₂或Ar。

4.如權利要求3所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，當所述工藝氣體為HBr時，所述等離子體工藝的工藝參數包括：HBr氣體的流量為30～500sccm，壓強為3～100毫托，功率為50～1000瓦。

5.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述抗反射層為無機抗反射層或有機抗反射層。

6.如權利要求5所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，第一次刻蝕去除的所述抗反射層的部分厚度占所述抗反射層厚度的5％～95％。

7.如權利要求5所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一次刻蝕和所述第二次刻蝕均為干法刻蝕。

8.如權利要求7所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一次刻蝕和所述第二次刻蝕的工藝參數相同，所述工藝參數包括：刻蝕氣體包括CH_xF_y氣體中的一種或多種的組合，其中，x為大于等于0的自然數，y為大于等于1的自然數，且x+y＝4，刻蝕壓強為5～100毫托，刻蝕功率為100～1200瓦。

9.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述圖形化結構具有第一粗糙度；對所述圖形化結構進行表面處理之后，使所述圖形化結構具有的第一粗糙度變為第二粗糙度，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度。

10.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，露出所述初始掩膜層表面之后，還包括：以所述圖形化結構和所述抗反射層為掩膜，刻蝕所述初始掩膜層，形成圖形化的掩膜層。

11.如權利要求10所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，還包括：以所述圖形化的掩膜層為掩膜，刻蝕所述目標刻蝕層，形成目標圖形層。