[發(fā)明專利]一種磁矩校正方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911335870.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111077488A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 衛(wèi)榮漢;許雁雅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鄭州大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01R35/00 | 分類號(hào): | G01R35/00;G01R33/02;G01R33/12 |
| 代理公司: | 北京科億知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 450001 河南省鄭州*** | 國(guó)省代碼: | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 校正 方法 | ||
1.一種磁矩校正方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:制作沒(méi)有磁矩異向性的磁性微粒;
S2:將S1所制作的磁性微粒均勻分散于非磁性介質(zhì)中,制成校正樣品混合物,所述校正樣品混合物為能夠形成任意形狀的固體;
S3:通過(guò)量測(cè)和計(jì)算得到所述校正樣品混合物單位重量的磁矩值;
S4:以所述校正樣品混合物制作各種形狀的校正樣品并量測(cè)其重量,計(jì)算所述校正樣品的磁矩值;
S5:利用校正樣品的磁矩值,對(duì)磁性量測(cè)設(shè)備的測(cè)量信號(hào)進(jìn)行校正;
S6:量測(cè)實(shí)際待測(cè)樣品的信號(hào)值,并將所述信號(hào)值透過(guò)校正結(jié)果轉(zhuǎn)換成實(shí)際待測(cè)樣品的磁矩值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁矩校正方法,其特征在于,S1中,所述磁性微粒為固體粉狀或液體狀的順磁或超順磁納米顆粒,所述磁性微粒內(nèi)部的磁矩能夠隨時(shí)順著外加磁場(chǎng)方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁矩校正方法,其特征在于,S2中,所述非磁性介質(zhì)為非磁性材料的定型輔料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁矩校正方法,其特征在于,所述非磁性介質(zhì)為高分子材料、水泥、石膏、黏土或其他可塑形材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁矩校正方法,其特征在于,S3的具體過(guò)程如下:將所述校正樣品混合物制成標(biāo)準(zhǔn)球,所述標(biāo)準(zhǔn)球與原始設(shè)備上所用的校正球尺寸形狀一致或相近,在已經(jīng)通過(guò)校正的磁性量測(cè)設(shè)備上量測(cè)出所述標(biāo)準(zhǔn)球?qū)?yīng)的磁滯回線,由磁滯回線能夠得知某一磁場(chǎng)下標(biāo)準(zhǔn)球的磁矩,選用飽和磁化區(qū)間內(nèi)的磁場(chǎng)所對(duì)應(yīng)磁矩值為參考依據(jù),再用磁矩除以所述標(biāo)準(zhǔn)球的重量,得到標(biāo)準(zhǔn)球在對(duì)應(yīng)磁場(chǎng)中的單位重量磁矩值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的磁矩校正方法,其特征在于,S4的具體過(guò)程如下:將所述校正樣品混合物制成與實(shí)際待測(cè)樣品形狀及尺寸相同或相似的校正樣品,并量測(cè)所述校正樣品的重量,用校正樣品的重量乘以S3中得到的單位重量的磁矩值,得到對(duì)應(yīng)磁場(chǎng)中所述校正樣品的磁矩值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁矩校正方法,其特征在于,S4中,將校正樣品混合物制成與實(shí)際待測(cè)樣品形狀及尺寸相同或相似的校正樣品,所采用的方式為模具定型或切割或3D打印或其他定型技術(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁矩校正方法,其特征在于,S5的具體過(guò)程如下:將所述校正樣品在即將量測(cè)實(shí)際待測(cè)樣品的磁性量測(cè)設(shè)備上進(jìn)行校正量測(cè)過(guò)程,并記錄所述磁性量測(cè)設(shè)備量測(cè)到的原始信號(hào)值,得到所述信號(hào)值與S4中所得到的磁矩值的比值關(guān)系。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁矩校正方法,其特征在于,S5中,所述校正樣品與實(shí)際待測(cè)樣品在量測(cè)過(guò)程中的放置位置與擺放方式相同或相似。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁矩校正方法,其特征在于,S6的具體過(guò)程如下:采用S5中的所述磁性量測(cè)設(shè)備量測(cè)實(shí)際待測(cè)樣品,并通過(guò)S5中的比值關(guān)系將量測(cè)到的實(shí)際待測(cè)樣品對(duì)應(yīng)的信號(hào)值轉(zhuǎn)換成實(shí)際待測(cè)樣品的磁矩值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁矩校正方法,其特征在于,所述S4、S5和S6中校正樣品與實(shí)際待測(cè)樣品形狀均為球形、圓盤形薄膜、方形薄膜、矩形薄膜、三角形薄膜、圓柱形、三角柱形、正方體、長(zhǎng)方體或其他任意形狀。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于鄭州大學(xué),未經(jīng)鄭州大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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