[發(fā)明專利]一種基于二次諧波原位監(jiān)測(cè)的扭曲異質(zhì)結(jié)的制備裝置及其方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911334666.X | 申請(qǐng)日: | 2019-12-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110957212A | 公開(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 雎長城;蔣尚池 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京邁塔光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/268 | 分類號(hào): | H01L21/268;H01L21/428 |
| 代理公司: | 南京中盟科創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32279 | 代理人: | 唐紹焜 |
| 地址: | 210093 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 二次 諧波 原位 監(jiān)測(cè) 扭曲 異質(zhì)結(jié) 制備 裝置 及其 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種基于二次諧波原位監(jiān)測(cè)的扭曲異質(zhì)結(jié)的制備裝置及其方法,實(shí)現(xiàn)全光學(xué)、非破壞性的、原位監(jiān)測(cè)二維材料晶體的晶格取向,并可分別對(duì)目標(biāo)樣品和待轉(zhuǎn)移樣品進(jìn)行進(jìn)行角度標(biāo)定。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)任意角度扭曲異質(zhì)結(jié)的制備,從而能夠極大的拓展扭曲器件的設(shè)計(jì)和制造能力,探索更多新奇物理特性和實(shí)現(xiàn)器件的的規(guī)模化生產(chǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于新型電子器件制備領(lǐng)域,特別涉及一種利用二維材料二次諧波型號(hào)實(shí)現(xiàn)全光學(xué)、非破壞性的、原位監(jiān)測(cè)二維材料晶體的晶格取向,并可分別對(duì)目標(biāo)樣品和待轉(zhuǎn)移樣品進(jìn)行進(jìn)行角度標(biāo)定。
背景技術(shù)
扭曲二維異質(zhì)結(jié),是指將二維材料或低維材料垂直堆疊在一起,而且層與層之間的晶格取向有一定夾角,例如雙層扭曲石墨烯、MX2/MoS2等。這種扭曲二維異質(zhì)結(jié)通過層間的范德華相互作用力及晶格相互作用,會(huì)對(duì)原有的本征材料的能帶結(jié)構(gòu)及關(guān)聯(lián)強(qiáng)度產(chǎn)生極大影響,展現(xiàn)出超導(dǎo)、莫特絕緣、宏觀磁性、量子霍爾效應(yīng)等多種新奇的材料特性,并且這些特性可以通過扭曲角度進(jìn)行調(diào)制,從而具有廣泛的研究空間和應(yīng)用前景。但這種扭曲二維異質(zhì)結(jié)的制備,依然比較困難,且精度比較低,僅能夠通過材料的宏觀光學(xué)外形去判斷晶格取向角度,難以識(shí)別材料的實(shí)際晶軸位置,并且對(duì)于材料尺寸有極大的限制【文獻(xiàn)1】。常見的晶軸判斷方式有透射電鏡法和二次諧波光學(xué)法,其中透射電鏡法的電子束波長比可見光和紫外光短得多,而且能量很高,能夠輕松得到樣品的晶格排布、厚度和密度等信息,從而解析出整個(gè)樣品晶體信息,但這種方法會(huì)對(duì)樣品產(chǎn)生極大地破壞性,且制樣麻煩、設(shè)備造價(jià)昂貴,需要專門的操作人員進(jìn)行操作,無法同扭曲二維異質(zhì)結(jié)的制備過程兼容。對(duì)于非中心對(duì)稱的材料,當(dāng)入射光照射到材料上時(shí),在二階非線性極化效應(yīng)作用下,產(chǎn)生頻率為二倍入射光頻率的光信號(hào)輸出,即所謂二維諧波非線性光學(xué)效應(yīng)。而對(duì)于二維材料體系,二次諧波效應(yīng)與材料的晶體結(jié)構(gòu)的對(duì)稱性直接相關(guān),其強(qiáng)度對(duì)材料的晶格對(duì)稱性等非常敏感,通過探測(cè)二次諧波的強(qiáng)度隨角度變化的分布圖,就能解析出對(duì)應(yīng)晶體結(jié)構(gòu),具有無損、簡單快捷、應(yīng)用范圍廣等特點(diǎn),能夠?qū)崿F(xiàn)各種復(fù)雜環(huán)境中的材料進(jìn)行非接觸測(cè)量,且能夠分析局域的應(yīng)變情況。但該方法目前通常用在樣品測(cè)試分析階段,并沒有同樣品制備過程有機(jī)結(jié)合,并且測(cè)試樣品臺(tái)設(shè)計(jì)較簡單,無法滿足多軸精密移動(dòng)的要求【文獻(xiàn)2】。
其中,文獻(xiàn)1:扭轉(zhuǎn)雙層石墨烯物理性質(zhì)、制備方法及其應(yīng)用的研究進(jìn)展,ActaPhysicaSinica, 67, 246802 (2018);
文獻(xiàn)2:一維/二維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的二次諧波和雙光子吸收特性研究,劉為為,華中科技大學(xué)博士論文,2017年。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的:本發(fā)明針對(duì)上述不足,提出了一種基于二次諧波原位監(jiān)測(cè)的扭曲異質(zhì)結(jié)的制備裝置及其方法,實(shí)現(xiàn)全光學(xué)、非破壞性的、原位監(jiān)測(cè)二維材料晶體的晶格取向,并可分別對(duì)目標(biāo)樣品和待轉(zhuǎn)移樣品進(jìn)行進(jìn)行角度標(biāo)定,能夠?qū)崿F(xiàn)任意角度扭曲二維異質(zhì)結(jié)的制備,從而能夠極大的拓展扭曲器件的設(shè)計(jì)和制造能力,探索更多新奇物理特性和實(shí)現(xiàn)器件的的規(guī)模化生產(chǎn)。
技術(shù)方案:
一種基于二次諧波原位監(jiān)測(cè)的扭曲異質(zhì)結(jié)的制備裝置,包括:
目標(biāo)樣品臺(tái)(1),用于放目標(biāo)樣品的襯底,并根據(jù)扭曲角度需要轉(zhuǎn)動(dòng)目標(biāo)樣品;
轉(zhuǎn)移樣品臺(tái)(2),用于將轉(zhuǎn)移樣品轉(zhuǎn)移至目標(biāo)樣品臺(tái)(1)的目標(biāo)樣品上方,并將轉(zhuǎn)移樣品貼合在目標(biāo)樣品上;
二次諧波信號(hào)激發(fā)光路,用于不同偏振方向的入射激光信號(hào)入射至目標(biāo)樣品或轉(zhuǎn)移樣品上,激發(fā)出相應(yīng)的二次諧波信號(hào);
二次諧波信號(hào)收集光路,用于收集入射激光信號(hào)激發(fā)的二次諧波信號(hào),并傳輸至二次諧波信號(hào)探測(cè)器;
二次諧波信號(hào)探測(cè)器(8),用于對(duì)二次諧波信號(hào)收集光路收集的二次諧波信號(hào)進(jìn)行探測(cè)得到相應(yīng)偏振方向的入射激光信號(hào)的二次諧波信號(hào)強(qiáng)度。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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