[發明專利]一種CoCu@立方Ia3d結構介孔碳電化學傳感器及其在檢測痕量喹賽多的應用有效
| 申請號: | 201911331121.3 | 申請日: | 2019-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN110988074B | 公開(公告)日: | 2021-12-21 |
| 發明(設計)人: | 劉艷清;汪洪武;胡耿鑫;姚夙;葉銀堅 | 申請(專利權)人: | 肇慶學院 |
| 主分類號: | G01N27/30 | 分類號: | G01N27/30;G01N27/48 |
| 代理公司: | 北京高航知識產權代理有限公司 11530 | 代理人: | 鄭華麗 |
| 地址: | 526000*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cocu 立方 ia3d 結構 介孔碳 電化學傳感器 及其 檢測 痕量 喹賽多 應用 | ||
1.一種CoCu@立方Ia3d結構介孔碳電化學傳感器的應用,所述應用是用于檢測喹賽多,其特征在于,該電化學傳感器的制備包括以下步驟:
(1)玻碳電極的處理:
將直徑為3 mm的玻碳電極先用粒徑為0.05mm的γ-氧化鋁打磨,再用重蒸水超聲清洗,室溫下晾干,得到玻碳電極前處理物;
(2)立方Ia3d結構介孔碳修飾電極的構建:
取立方Ia3d結構介孔碳分散液滴涂于所述玻碳電極前處理物表面,置于紅外燈下照射至干燥,得到立方Ia3d結構介孔碳修飾電極;
(3)CoCu@立方Ia3d結構介孔碳修飾電極的構建:
將立方Ia3d結構介孔碳修飾電極置于CoCl2和CuCl2的混合溶液中,使用循環伏安法掃描沉積;沉積之后浸泡于去離子水中5 min,去掉表面未沉積的金屬離子;再置于PBS緩沖溶液中,使用微分脈沖伏安法掃描使其穩定;隨后在1000 rpm磁力攪拌下進行恒電位富集,即得到CoCu@立方Ia3d結構介孔碳修飾電極;
其中,循環伏安法掃描沉積的電位區間為0.6~-1.2 V,掃描速度0.1 V/s;
微分脈沖伏安法掃描時的電位區間為-0.8 V~-1.3 V,兩次掃描之間間隔1 min;
恒電位富集的電位區間為-0.4 V~-0.7 V,富集時間0~20 min;
所述CoCl2和CuCl2的混合溶液通過CoCl2溶液和CuCl2溶液混合得到;所述CoCl2溶液和CuCl2溶液的濃度均為2.0 mol/L;所述CoCl2溶液和CuCl2溶液的體積比為1:1;
(4)電化學傳感器的設置:
以CoCu@立方Ia3d結構介孔碳修飾電極為工作電極,中空鈦棒為對電極,飽和甘汞電極為參比電極,即得到電化學傳感器。
2.根據權利要求1所述的一種CoCu@立方Ia3d結構介孔碳電化學傳感器的應用,其特征在于,所述立方Ia3d結構介孔碳分散液的溶劑為N,N-二甲基甲酰胺。
3.根據權利要求1所述的一種CoCu@立方Ia3d結構介孔碳電化學傳感器的應用,其特征在于,所述立方Ia3d結構介孔碳分散液的濃度為2mg/mL;所述立方Ia3d結構介孔碳分散液用量為4μL。
4.根據權利要求1所述的一種CoCu@立方Ia3d結構介孔碳電化學傳感器的應用,其特征在于,所述循環伏安法掃描的掃描圈數為7圈。
5.根據權利要求1所述的一種CoCu@立方Ia3d結構介孔碳電化學傳感器的應用,其特征在于,所述步驟(3)中PBS緩沖溶液的濃度為0.2 mol/L。
6.根據權利要求1所述的一種CoCu@立方Ia3d結構介孔碳電化學傳感器的應用,其特征在于,所述恒電位富集的電位為-0.5V,富集時間為15 min。
7.根據權利要求1所述的一種CoCu@立方Ia3d結構介孔碳電化學傳感器的應用,其特征在于,所述的對喹賽多進行檢測,具體是:
將所述電化學傳感器置于裝載有電解液的電解池中,使用微分脈沖伏安法檢測待測物中喹賽多的濃度;
其中,所述電解液為PBS緩沖溶液;所述電解池的容積為25 mL,每次檢測時裝載電解液體積為20 mL,采用電磁攪拌器進行攪拌;
所述電解液在使用前通入高純氮氣3 min以充分除盡其中的溶解氧。
8.根據權利要求7所述的一種CoCu@立方Ia3d結構介孔碳電化學傳感器的應用,其特征在于,所述電解池中液體的pH=7.0。
9.根據權利要求7所述的一種CoCu@立方Ia3d結構介孔碳電化學傳感器的應用,其特征在于,所述PBS緩沖溶液的濃度為0.2 mol/L。
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