[發明專利]一種提高方阻均勻性的發射極制備方法

在審

• 申請號: 201911328455.5
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN111048623A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 邱家梁;黃惜惜;周肅;黃國平;李菁楠
• 申請（專利權）人: 中節能太陽能科技（鎮江）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/50
• 代理公司: 鎮江基德專利代理事務所(普通合伙) 32306
• 代理人: 鄧月芳

本發明公開了一種提高方阻均勻性的發射極制備方法，硅片預處理后在硅片表面沉積一層摻磷(硼)氧化硅層；PN結制備時，利用擴散爐不添加摻雜氣源進行高溫擴散。本發明通過在硅片表面沉積一層摻磷(硼)的氧化硅層，此過程中，形成的氧化硅層具有優異的均勻性，為后續步驟提供了更加均勻的前提，使用擴散爐進行高溫擴散，不添加摻雜氣源，利用均勻的摻磷(硼)氧化硅層，實現高均勻性方阻。

技術領域

本發明具體涉及一種提高方阻均勻性的發射極制備方法。

背景技術

隨著太陽能電池技術的發展，高方阻的發射區制備技術越來越受到高效太陽能電池研發的重視。

其中PN結的制備是最關鍵的步驟之一，對于晶硅電池的光電轉換效率起到了非常重要的作用。目前行業的趨勢是逐步提高擴散方阻，進一步提升電池效率。

專利CN104319308A公開了一種提高方阻擴散均勻性的方法，該專利使用緩沖層降低擴散速度，專利CN207282513U公開了一種提高方阻均勻性的方法，該專利通過改善擴散爐結構來提高氣體分布均勻性，但是隨著硅片尺寸逐漸增大，需要更多的考慮由此帶來的不利影響。

發明內容

本發明的目的是為了解決以上現有技術的不足，提出了一種提高方阻均勻性的發射極制備方法，包括以下步驟：

(1)硅片預處理：對硅片進行清洗和減反射表面制備；

(2)磷(硼)硅玻璃層沉積；

(3)PN結制備：在P型硅正面進行擴散，形成N型發射極；在N型硅正面進行擴散，形成P型發射極；

(4)表面鈍化：對硅片進行熱退火，然后在硅片背面進行氧化鋁和氮化硅的膜層制備，在硅片正面和背面進行氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、氧化鋁、非晶硅、透明導電層等減反射膜的制備；

(5)金屬化：在硅片表面進行背電極、背電場以及正面電極制備，并進行固化、燒結，完成電池制備。

優選地，步驟(2)中，摻磷(硼)氧化硅層使用等離子氣相輔助化學沉積法沉積而成。

優選地，其中等離子氣相輔助化學沉積法沉積摻磷(硼)氧化硅層使用管式或平板式等離子氣相輔助化學沉積法的方式進行。

優選地，使用等離子氣相輔助化學沉積法沉積時，加熱溫度為200-400℃；反應氣體硅烷使用氮氣稀釋，硅烷的濃度＜10％；氧化性氣體笑氣的流量為0.5-1L/min；反應氣體磷烷濃度為0.02-0.2％，流量0.6-1L/min；反應室氣體總壓力為0.06-3托。

有益效果：

1、本發明通過在硅片表面沉積一層摻磷(硼)的氧化硅層，此過程中，形成的氧化硅層具有優異的均勻性，為后續步驟提供了更加均勻的前提。

2、本發明使用擴散爐進行高溫擴散，不添加摻雜氣源，利用均勻的摻磷氧化硅層，實現高均勻性方阻。

附圖說明

圖1是使用等離子氣相輔助化學沉積法沉積摻雜氧化硅后再擴散的硅片進行方阻測試之后的對比圖。

具體實施方式

為了加深對本發明的理解，下面將結合實施例和附圖對本發明作進一步詳述，該實施例僅用于解釋本發明，并不構成對本發明保護范圍的限定。

一種提高方阻均勻性的發射極制備方法，包括以下步驟：

(1)硅片預處理：對硅片進行清洗和減反射表面制備；

(2)磷(硼)硅玻璃層沉積；

(3)PN結制備：在P型硅正面進行擴散，形成N型發射極；在N型硅正面進行擴散，形成P型發射極；