[發明專利]一種提高方阻均勻性的發射極制備方法

在審

• 申請號: 201911328455.5
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN111048623A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 邱家梁;黃惜惜;周肅;黃國平;李菁楠
• 申請（專利權）人: 中節能太陽能科技（鎮江）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/50
• 代理公司: 鎮江基德專利代理事務所(普通合伙) 32306
• 代理人: 鄧月芳

1.一種提高方阻均勻性的發射極制備方法，包括以下步驟，其特征在于；

(1)硅片預處理：對硅片進行清洗和減反射表面制備；

(2)磷(硼)硅玻璃層沉積；

(3)PN結制備：在P型硅正面進行擴散，形成N型發射極；在N型硅正面進行擴散，形成P型發射極；

(4)表面鈍化：對硅片進行熱退火，然后在硅片背面進行氧化鋁和氮化硅的膜層制備，在硅片正面和背面進行氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、氧化鋁、非晶硅、透明導電層等減反射膜的制備；

(5)金屬化：在硅片表面進行背電極、背電場以及正面電極制備，并進行固化、燒結，完成電池制備。

2.根據權利要求1所述的一種提高方阻均勻性的發射極制備方法，其特征在于，步驟(2)中，摻磷(硼)氧化硅層使用等離子氣相輔助化學沉積法沉積而成。

3.根據權利要求2所述的一種提高方阻均勻性的發射極制備方法，其特征在于，其中等離子氣相輔助化學沉積法沉積摻磷(硼)氧化硅層使用管式或平板式等離子氣相輔助化學沉積法的方式進行。

4.根據權利要求2所述的一種提高方阻均勻性的發射極制備方法，其特征在于，使用等離子氣相輔助化學沉積法沉積時，加熱溫度為200-400℃；反應氣體硅烷使用氮氣稀釋，硅烷的濃度＜10％；氧化性氣體笑氣的流量為0.5-1L/min；反應氣體磷烷濃度為0.02-0.2％，流量0.6-1L/min；反應室氣體總壓力為0.06-3托。