[發明專利]一種晶圓刻蝕設備

在審

• 申請號: 201911322531.1
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN111063638A
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 謝永寧
• 申請（專利權）人: 泉州圓創機械技術開發有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種晶圓刻蝕設備，其結構包括頂噴(1)、排液管(2)、蝕刻裝置(3)、外固定框架(4)、轉盤(5)、電機(6)、底座(7)、頂升油缸(8)，其特征在于：

所述的底座(7)頂部設有外固定框架(4)，所述的外固定框架(4)前端設有蝕刻裝置(3)，所述的蝕刻裝置(3)下方設有轉盤(5)，所述的轉盤(5)底部設有電機(6)，所述的轉盤(5)頂部設有頂升油缸(8)，所述的外固定框架(4)頂部設有頂噴(1)，所述的蝕刻裝置(3)兩側設有排液管(2)。

2.根據權利要求1所述的一種晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述的蝕刻裝置(3)由晶圓固定機構(31)、蝕刻引流機構(32)、蝕刻回液機構(33)、液箱(34)、泵機(35)組成，所述的蝕刻回液機構(33)內部設有蝕刻引流機構(32)，所述的蝕刻引流機構(32)內部設有晶圓固定機構(31)，所述的蝕刻回液機構(33)下方設有液箱(34)，所述的液箱(34)底部設有泵機(35)。

3.根據權利要求2所述的一種晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述的晶圓固定機構(31)由導流圈(31a)、限位座(31b)、彈簧(31c)、限位桿(31d)、限位墊片(31e)組成，所述的導流圈(31a)頂部設有限位座(31b)，所述的限位座(31b)上設有限位桿(31d)，所述的限位座(31b)后端設有彈簧(31c)，所述的限位座(31b)前端設有限位墊片(31e)。

4.根據權利要求3所述的一種晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述的導流圈(31a)由導流槽(31a1)、導流外環(31a2)、晶圓轉盤(31a3)組成，所述的晶圓轉盤(31a3)外圈上設有導流外環(31a2)，所述的導流外環(31a2)內圈上設有導流槽(31a1)。

5.根據權利要求2所述的一種晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述的蝕刻引流機構(32)由滑塊(32a)、阻流立板(32b)、支桿(32c)、轉環(32d)、分流葉片(32e)組成，所述的轉環(32d)外圈上設有滑塊(32a)，所述的轉環(32d)內圈上設有分流葉片(32e)，所述的分流葉片(32e)頂部設有阻流立板(32b)，所述的分流葉片(32e)下方設有支桿(32c)。

6.根據權利要求2所述的一種晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述的蝕刻回液機構(33)由滑槽(33a)、蝕刻框(33b)、回液管(33c)、限位軌道(33d)、滑套(33e)組成，所述的蝕刻框(33b)內圈上設有滑槽(33a)，所述的蝕刻框(33b)底部設有限位軌道(33d)，所述的限位軌道(33d)中心位置設有滑套(33e)，所述的限位軌道(33d)兩側設有回液管(33c)。