[發(fā)明專利]用于鈣鈦礦太陽能電池的二氧化鈦電子傳輸層的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911313474.0
• 申請日: 2019-12-18
• 公開（公告）號: CN112993171A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設計）人: 門闊;魏峰;梁曉平;連紫薇;朱婧
• 申請（專利權(quán)）人: 有研工程技術(shù)研究院有限公司
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/46;C01G23/053;C01G23/07
• 代理公司: 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100
• 代理人: 劉秀青

1.一種用于鈣鈦礦太陽能電池的二氧化鈦電子傳輸層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)以TiO₂為靶材，真空度為1×10^-4Pa，在FTO玻璃片上磁控濺射制備TiO₂致密層，在濺射過程中補氧；

(2)將濃度為37％的濃鹽酸、去離子水、純度≥98％的四異丙醇鈦三種液體按比例混合配置反應溶液；

(3)將沉積有TiO₂致密層的FTO玻璃片放入水熱反應釜中，將有TiO₂致密層的一面朝下，加入反應溶液，在烘箱中保溫；待水熱反應釜自然冷卻后，將FTO玻璃片取出，用酒精和去離子水反復清洗其表面，直至去除未反應的溶液；

(4)將FTO玻璃片在管式爐中退火。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中濺射條件為：0.5～3Pa、射頻電源功率為20～70W；通入氣體總流量為10～30sccm，含有至少Ar、O₂兩路氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，Ar、O₂的流量比Ar/O₂在10∶1～5∶1之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中濃鹽酸與去離子水的體積比為1∶1，去離子水與四異丙醇鈦的體積比為100∶1～100∶8。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中烘箱保溫時間為30～120min，烘箱溫度為120～200℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中退火時間為0.5～1.5h，退火溫度為450～650℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，特征在于，TiO₂致密層的厚度為5～100nm，TiO₂介孔層的厚度為200～1000nm。