[發明專利]一種水平對中校準夾具、拉晶爐及水平對中校準方法

有效

• 申請號: 201911311540.0
• 申請日: 2019-12-18
• 公開（公告）號: CN110952134B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 潘浩;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術有限公司
• 主分類號: C30B15/12
• 分類號: C30B15/12;C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

本發明公開了一種水平對中校準夾具，包括：若干支撐架、若干第一平衡件以及若干可為豎直狀態或水平狀態的測量組件，其中，所述第一平衡件設置于所述支撐架上，所述測量組件活動設置于所述支撐架上，且所述測量組件處于豎直狀態時，所述測量組件以第一校準值為基準測量待測量件的第一狀態，所述測量組件處于水平狀態時，所述測量組件以第二校準值為基準測量待測量件的第二狀態。本發明所提供的水平對中校準夾具可以確保待測量件處于水平對中狀態，為后續處理工序奠定基礎。

技術領域

本發明屬于校準技術領域，具體涉及一種水平對中校準夾具、拉晶爐及水平對中校準方法。

背景技術

作為單晶硅的制造方法，有區熔法和切克勞斯基法，單晶硅的制造方法目前通常采用切克勞斯基法(Czochralski，CZ)。切克勞斯基法是將多晶硅料收容在設置于拉晶爐爐膛內的石英坩堝里，通過加熱器對多晶硅料進行加熱融化，再將棒狀晶種(即籽晶)與多晶硅料的熔融液面接觸，在工藝要求合適的溫度下，熔液中的硅原子會順著棒狀晶種的硅原子的排列結構在固液交界面上形成規則的結晶而成為單晶硅，將棒狀晶種一邊旋轉一邊提拉，熔液中的硅原子會在之前形成的單晶硅上繼續結晶，并延續其規則的原子排列結構，同時加速提拉，便可生產出目標直徑的單晶硅棒。

在單晶硅棒的制造過程中，最基本的操作即是石英坩堝和石墨坩堝的對中，因為只有石英坩堝和石墨坩堝處于對中時才能保證熱場等溫線與單晶硅棒同心，從而保證熱場穩定，則可以促進單晶硅棒有效生長和減少單晶硅棒原生缺陷(COP)等缺陷。因為石墨坩堝較重，為了能夠將其放置于坩堝軸之上，目前通常采用機械方式進行吊裝。

但是由于石墨坩堝重量大，在放置時由于慣性和操作人員熟練程度的原因，導致石墨坩堝容易發生偏移或傾斜，因此會在后期進行人力矯正，這種方式費時費力，且根據個人操作原因容易產生誤差；而石英坩堝重量相較于石墨坩堝較輕，通常會由多個人力進行搬送放置，同樣由于人工操作使得石英坩堝受力不均而發生傾斜或偏心，且石英坩堝主要依附于石墨坩堝，如石墨坩堝傾斜，必然會影響到石英坩堝的水平對中放置，嚴重時會導致在拉晶過程中的熔液傾灑，液面傾斜，導致拉晶失敗。

發明內容

為了解決現有技術中存在的上述問題，本發明提供了一種水平對中校準夾具、拉晶爐及水平對中校準方法。本發明要解決的技術問題通過以下技術方案實現：

一種水平對中校準夾具，包括：若干支撐架、若干第一平衡件以及可為豎直狀態或水平狀態的測量組件，其中，

所述第一平衡件設置于所述支撐架上，所述測量組件活動設置于所述支撐架上，且所述測量組件處于豎直狀態時，所述測量組件以第一校準值為基準測量待測量件的第一狀態，所述測量組件處于水平狀態時，所述測量組件以第二校準值為基準測量待測量件的第二狀態。

在本發明的一個實施例中，所述測量組件包括可在所述支撐架上進行水平移動、豎直移動和轉動的測量尺以及可在所述測量尺上移動的測量指針，所述測量指針移動至所述測量尺上所述第一校準值對應的位置以確定所述待測量件的第一狀態，所述測量指針移動至測量尺上所述第二校準值對應的位置以確定所述待測量件的第二狀態。

在本發明的一個實施例中，還包括若干圓形的調節件，所述調節件活動設置于所述支撐架上，所述調節件的圓周方向上設置有用于嚙合的若干第一凸起部分，所述測量尺上設置有用于嚙合的若干第二凸起部分，所述測量尺通過所述第二凸起部分與所述第一凸起部分相互嚙合以使所述測量尺豎直移動和轉動。

在本發明的一個實施例中，所述支撐架上設置有水平方向的滑槽，所述調節件的兩側面上設置有滑桿；其中，所述調節件的滑桿設置于所述滑槽中以使所述調節件沿所述滑槽移動時帶動所述測量尺進行水平移動。

在本發明的一個實施例中，所述測量尺還包括第二平衡件，所述第二平衡件設置于所述測量尺上。

在本發明的一個實施例中，所述第一平衡件包括透明承載件、液體和氣泡，其中，