[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體模塊有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911303208.X | 申請(qǐng)日： | 2019-12-17 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111341749B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-08-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 杉浦秀和 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 株式會(huì)社電裝 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L23/495 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L23/495;H01L25/07;H02M1/00;H02M1/32;H02M7/00 |
| 代理公司： | 華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 郎伊琳 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 模塊 | ||
1.一種半導(dǎo)體模塊，其特征在于，具有：
第一半導(dǎo)體芯片，其具備具有場(chǎng)效應(yīng)晶體管且由SiC制成的第一半導(dǎo)體基板、設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體基板的一側(cè)表面上的漏電極、和設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體基板的另一側(cè)表面上的源電極；
第二半導(dǎo)體芯片，其具備具有二極管的第二半導(dǎo)體基板、設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體基板的一側(cè)表面上的陰極電極、和設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體基板的另一側(cè)表面上的陽(yáng)極電極；
第一引線框架，其具備第一主端子，與所述漏電極和所述陰極電極連接；
第二引線框架，其具備第二主端子，與所述源電極和所述陽(yáng)極電極連接；以及
第三半導(dǎo)體芯片，其具備：第三半導(dǎo)體基板，其具備絕緣柵雙極晶體管；集電極，其設(shè)置在第三半導(dǎo)體基板的一側(cè)表面上；以及發(fā)射極，其設(shè)置在第三半導(dǎo)體基板的另一側(cè)表面上，
從所述第二主端子經(jīng)由所述第一半導(dǎo)體芯片至所述第一主端子的第一電流路徑，與從所述第二主端子經(jīng)由所述第二半導(dǎo)體芯片至所述第一主端子的第二電流路徑相比更長(zhǎng)，
所述第一引線框架與所述集電極連接，
所述第二引線框架與所述發(fā)射極連接，
所述第三半導(dǎo)體芯片配置在所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片之間。
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