[發(fā)明專利]一種鉭掩模的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911302722.1
• 申請(qǐng)日: 2019-12-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111009462B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-11-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高建峰;李俊杰;劉衛(wèi)兵;李俊峰;王文武
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L21/033
• 分類號(hào): H01L21/033;H01L43/12
• 代理公司: 北京天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所有限公司 11386
• 代理人: 楊光

1.一種鉭掩模的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1.在基體上依次形成鉭掩模、SOC和SOG；

步驟2.將圖案通過(guò)光刻工藝轉(zhuǎn)移到SOG的頂部；

步驟3.刻蝕SOG；

步驟4.刻蝕SOC，刻蝕后，SOC的尺寸小于SOG掩模的尺寸；

步驟5.去除SOG；

步驟6.利用SOC做掩模刻蝕鉭掩模；

所述步驟1中，沉積鉭掩模后，依次旋涂SOC和SOG；

旋涂SOC后100-200度熱板軟烘0.5-2分鐘；250-350度熱板硬烘2-10分鐘；

旋涂SOG后100-200度熱板軟烘0.5-2分鐘；250-350度熱板硬烘2-10分鐘；

所述步驟4中，刻蝕工藝為：溫度為室溫，壓力為5-20mTorr，刻蝕氣體為Ar、O₂和CH₄，Ar流量為100-300sccm，O₂流量為20-80sccm，CH₄流量為10-30sccm，射頻電源為150-350W，偏壓電源為100-200W；

所述步驟6中，利用SOC做掩模刻蝕鉭掩模分兩步刻蝕：

步驟601.刻蝕SOC與鉭的反應(yīng)界面；

步驟602.刻蝕鉭掩模；

所述步驟601刻蝕工藝為：溫度為20-60℃，壓力為5-15mTorr，刻蝕氣體為O₂和CF₄，O₂流量為2-10sccm，CF₄流量為50-150sccm，射頻電源為200-400W；偏壓電源為20-50W；刻蝕時(shí)間10-30秒；

所述步驟602刻蝕工藝為：溫度為20-60℃，壓力為5-15mTorr，刻蝕氣體為Ar、Cl₂和CH₂F₂，Ar流量為100-300sccm，Cl₂流量為30-50sccm，CH₂F₂流量為50-150sccm，射頻電源為100-300W，偏壓電源為20-50W；

SOC厚度為50-150nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭掩模的制備方法，其特征在于，所述步驟1中，所述基體包括從下至上依次設(shè)置的晶圓襯底、底電極層、種子層、反鐵磁層、釘扎層、隧穿層和自由層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭掩模的制備方法，其特征在于，所述步驟3中，利用光刻膠做掩模采用反應(yīng)離子束刻蝕SOG。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鉭掩模的制備方法，其特征在于，所述步驟3的刻蝕工藝為：溫度為室溫，壓力為30-90mTorr，刻蝕氣體為Ar、CHF₃和CF₄，Ar的流量為100-300sccm，CHF₃流量為2-10sccm，CF₄流量為10-60sccm，27MHz射頻電源為100-500W，2MHz射頻電源為50-150W。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鉭掩模的制備方法，其特征在于，所述步驟4中，利用光刻膠和SOG做掩模ICP刻蝕SOC。