[發(fā)明專利]一種立體集成整流陣列及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911296784.6
• 申請(qǐng)日: 2019-12-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110867415A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳夏冉;朱曉輝;汪冰;門國(guó)捷;劉小為;張崎;劉俊夫;王超;朱喆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所
• 主分類號(hào): H01L23/053
• 分類號(hào): H01L23/053;H01L23/06;H01L23/08;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/538;H01L25/00;H01L25/07;H01L21/48;H01L21/768;H02M7/06
• 代理公司: 合肥天明專利事務(wù)所(普通合伙) 34115
• 代理人: 張夢(mèng)媚

1.一種立體集成整流陣列，其特征在于，包括：

AMB-陶瓷基板，其上端面沿其四周固設(shè)有金屬環(huán)框，所述金屬環(huán)框與所述AMB-陶瓷基板形成一腔體，位于所述腔體內(nèi)的AMB-陶瓷基板上開(kāi)設(shè)有通孔，所述通孔內(nèi)填塞有銅柱；

第一焊盤，其包括陽(yáng)極焊盤Pn和陰極焊盤Nn，所述第一焊盤焊接在所述銅柱的上表面和下表面，且所述陽(yáng)極焊盤Pn和所述陰極焊盤Nn間隔排布，同一所述銅柱上焊接的第一焊盤的類型相同；

二極管芯片，其位于所述腔體內(nèi)且設(shè)于所述陽(yáng)極焊盤Pn的上端面，所述二極管芯片通過(guò)鋁絲鍵合與相鄰的陰極焊盤Nn互聯(lián)；

金屬蓋板，其設(shè)于所述金屬環(huán)框的上端，將所述腔體封蓋。

2.如權(quán)利要求1所述的立體集成整流陣列，其特征在于，所述AMB-陶瓷基板為AMB-AlN陶瓷基板。

3.如權(quán)利要求1所述的立體集成整流陣列，其特征在于，所述金屬環(huán)框?yàn)榭煞ソ饘侪h(huán)框。

4.如權(quán)利要求1所述的立體集成整流陣列，其特征在于，其還包括：

第二焊盤，其為Pad焊盤，焊接在所述AMB-陶瓷基板的底部，且與所述第一焊盤無(wú)連接。

5.如權(quán)利要求4所述的立體集成整流陣列，其特征在于，所述第二焊盤位于述AMB-陶瓷基板的底部中心位置。

6.如權(quán)利要求1所述的立體集成整流陣列，其特征在于，所述通孔圍繞所述AMB-陶瓷基板四周呈陣列排布，且所述陽(yáng)極焊盤Pn與所述陰極焊盤Nn間隔排布。

7.如權(quán)利要求1所述的立體集成整流鎮(zhèn)流，其特征在于，所述二極管芯片為堆疊芯片，所述堆疊芯片由兩層二極管裸芯片串聯(lián)堆疊放置，位于所述堆疊芯片上層的二極管裸芯片通過(guò)鋁絲鍵合與相鄰的陰極焊盤Nn互聯(lián)。

8.一種如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的立體集成整流陣列的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

將陶瓷基板清洗干凈并對(duì)銅片進(jìn)行退火處理和清洗；

在清洗后的陶瓷基板上沖制通孔后再次清洗，并在通孔內(nèi)填塞銅柱，然后在陶瓷基板的表面印刷活性焊料，將清洗后的銅片通過(guò)活性釬焊工藝與陶瓷基板焊接；

去除陶瓷基板上的雜質(zhì)或廢料，完成線路制作后，激光劃片制得AMB-陶瓷基板；

對(duì)填塞銅柱后的AMB-陶瓷基板進(jìn)行加熱，軟化銅材，施加外力使基板覆銅凹陷形變與銅柱接觸；

在銅柱的上下表面焊接第一焊盤，并在AMB-陶瓷基板的底部焊接第二焊盤；

在位于AMB-陶瓷基板上端面的陽(yáng)極焊盤Pn上制作二極管芯片，并將所述二極管芯片通過(guò)鋁絲鍵合與相鄰的陰極焊盤Nn互聯(lián)；

將金屬環(huán)框焊接在AMB-陶瓷基板的上端面后，用金屬蓋板采用平行封焊將所述金屬環(huán)框封蓋實(shí)現(xiàn)氣密封裝。

9.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述活性焊料的組成為Ti-Ag-Cu和有機(jī)載體。