[發明專利]一種探測基板、其制作方法及平板探測器

在審

• 申請號: 201911284923.3
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN111244119A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 侯學成;尚建興;商曉彬
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方傳感技術有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉源

1.一種探測基板，其特征在于，包括：襯底基板，位于所述襯底基板上的多個晶體管，位于各所述晶體管的遠離所述襯底基板的一側的多個讀取電極，位于各所述讀取電極的遠離所述晶體管的一側的多個光電轉換結構，以及位于各所述晶體管所在層與各所述讀取電極所在層之間的氧化物層；其中，

各所述晶體管的第一電極通過各所述讀取電極與各所述光電轉換結構一一對應電連接；各所述晶體管的有源層的材質包括氧化物；

所述光電轉換結構，包括：N型半導體層、本征半導體層和P型半導體層；

所述氧化物層至少覆蓋所述晶體管的溝道區，且與所述讀取電極相互絕緣。

2.如權利要求1所述的探測基板，其特征在于，還包括：位于各所述晶體管所在層與各所述讀取電極所在層之間的絕緣層；

各所述晶體管的第一電極通過貫穿所述絕緣層的第一過孔與所述讀取電極電連接；

所述氧化物層在所述第一過孔所在區域處具有鏤空結構。

3.如權利要求2所述的探測基板，其特征在于，所述絕緣層，包括：位于各所述晶體管所在層與所述氧化物層之間的第一鈍化層，位于所述氧化物層與各所述讀取電極所在層之間的第一樹脂層，以及位于所述第一樹脂層與各所述讀取電極所在層之間的第二鈍化層。

4.如權利要求2所述的探測基板，其特征在于，所述絕緣層，包括：位于各所述晶體管所在層與所述氧化物層之間的第一鈍化層，位于所述氧化物層與各所述第一鈍化層之間的第一樹脂層，以及位于所述氧化物層與各所述讀取電極所在層之間的第二鈍化層。

5.如權利要求3或4所述的探測基板，其特征在于，所述第一樹脂層在所述晶體管的第二電極所在區域具有第二過孔，所述第二鈍化層覆蓋所述第二過孔，所述讀取電極覆蓋至少部分所述第二過孔。

6.如權利要求5所述的探測基板，其特征在于，所述氧化物層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第二過孔在所述襯底基板上的正投影。

7.如權利要求1-4任一項所述的探測基板，其特征在于，每一電連接的所述晶體管與所述光電轉換結構所在區域為一像素區域；

各所述像素區域對應的所述氧化物層為一體結構。

8.如權利要求1-4任一項所述的探測基板，其特征在于，每一電連接的所述晶體管與所述光電轉換結構所在區域為一像素區域；

各所述像素區域對應的所述氧化物層之間相互獨立。

9.如權利要求8所述的探測基板，其特征在于，每一所述像素區域內，所述晶體管的溝道區位于所述氧化物層的中心區域。

10.如權利要求1-4任一項所述的探測基板，其特征在于，所述氧化物層的材質為氧化銦錫。

11.如權利要求1-4任一項所述的探測基板，其特征在于，所述晶體管的有源層的材質為銦鎵鋅氧化物。

12.一種平板探測器，其特征在于，包括：如權利要求1-11任一項所述的探測基板。

13.一種如權利要求1-11任一項所述探測基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上依次形成多個晶體管、氧化物層、多個讀取電極和多個光電轉換結構；其中，

各所述晶體管的第一電極通過各所述讀取電極與各所述光電轉換結構一一對應電連接；各所述晶體管的有源層的材質包括氧化物；

所述光電轉換結構，包括：N型半導體層、本征半導體層和P型半導體層；

所述氧化物層至少覆蓋所述晶體管的溝道區，且與所述讀取電極相互絕緣。