[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請號: 201911278576.3
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN111028705A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 樊勇;孫洋
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

本發明提供一種顯示面板及顯示裝置，包括基板層、發光層和復合黑色矩陣層；其中所述發光層設置于所述基板層上，所述發光層兩側的所述基板層上分別設置有所述復合黑色矩陣層，其中所述復合黑色矩陣層包括黑色矩陣層和反光層。在黑色矩陣層上形成一層反光層或者在反光層上形成具有遮光作用的黑色矩陣層，既滿足RGB三色芯片相互遮蔽漏光的作用，同時反光層可將發光層發出的光反射至上層由頂端發出，避免發光層發出的光被黑色矩陣層吸收，從而使亮度提高，提升器件的發光效率。

技術領域

本發明涉及顯示面板技術領域，特別涉及一種顯示面板及顯示裝置。

背景技術

微米級發光二極管(Micro-light emitting diodes)是一種新型發光顯示技術，可提供比OLED技術亮度更高，發光效率更好，功耗更低的顯示器件，是目前繼OLED之后新一代的顯示技術，深受各大廠商垂青和布局。MicroLED主要是將微縮后的LED(<100um)在基板上進行陣列排布，而形成具有高密度微小尺寸的LED陣列。

將MicroLED作為顯示屏幕時，首先要實現MicroLED全彩化，其中最直接的方法是將RGB三種顏色LED芯片分別轉移到基板上，再進行封裝。傳統的LCD全彩化工藝中，由于RGB三種顏色光阻距離較近，會發生漏光等現象，造成屏幕對比度降低，為克服這一問題，通常在彩色濾光片的制程中采用在RGB三色光阻之間增加黑色矩陣層(Black Matrix，BM)的方式來遮蔽漏光區，來提高對比度。

請參閱圖1，圖1所示為現有技術中的顯示面板的結構示意圖，包括依次設置的襯底基板11、遮光層12、緩沖層13、有源層14、絕緣層15、柵極層16、源漏極層17、平坦層18、黑色矩陣層2和發光層3。由于發光層3中自發光的LED為六面發光芯片，與黑色矩陣層相鄰的非顯示方向上，在發光時會因為黑色矩陣層具有一定的吸光性，使得LED所發出的光線部分被BM所吸收，芯片亮度降低，進而影響器件的發光效率。

因此，確有必要來開發一種新型的顯示面板，以克服現有技術的缺陷。

發明內容

本發明的一個目的是提供一種顯示面板，其能夠解決現有技術中LED所發出的光線部分被黑色矩陣層所吸收，芯片亮度降低，進而影響器件的發光效率等問題。

為實現上述目的，本發明提供一種顯示面板，包括基板層、發光層和復合黑色矩陣層；其中所述發光層設置于所述基板層上，所述發光層兩側的所述基板層上分別設置有所述復合黑色矩陣層，其中所述復合黑色矩陣層包括黑色矩陣層和反光層。

進一步的，在其他實施方式中，其中所述黑色矩陣層設置于所述基板層上，所述反光層覆蓋在所述黑色矩陣層的側部上。

其中所述黑色矩陣層上設置的所述反光層，將所述發光層中斜射到所述黑色矩陣層上的光線不斷反射重新利用，同時避免所述發光層發出的光被所述黑色矩陣層吸收，提高光線的利用率。

進一步的，在其他實施方式中，其中所述黑色矩陣層設置在所述基板上，所述反光層設置在所述黑色矩陣層上。

進一步的，在其他實施方式中，其中所述復合黑色矩陣層的厚度小于10μm。

進一步的，在其他實施方式中，其中所述黑色矩陣層的厚度小于2μm，所述反光層的厚度范圍為2-8μm。

進一步的，在其他實施方式中，其中所述黑色矩陣層的厚度小于2μm，所述反光層的厚度范圍為2-8μm。

進一步的，在其他實施方式中，其中所述反光層設置于所述基板層上，所述黑色矩陣層設置于所述反光層上。

進一步的，在其他實施方式中，其中所述反光層的厚度大于所述發光層的厚度。

進一步的，在其他實施方式中，其中其中所述黑色矩陣層的厚度小于2μm，所述反光層的厚度范圍為2-8μm。