[發明專利]具有屏蔽源極的絕緣柵場效應晶體管結構和方法

在審

• 申請號: 201911278314.7
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN111697075A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 吳小利;J·A·葉迪納克
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/36
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種半導體器件結構，包括：

半導體材料區域，所述半導體材料區域包括第一導電類型的第一半導體層并且具有第一主表面；

第二導電類型的第一本體區域，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反，所述第一本體區域設置在從所述第一主表面延伸的第二半導體層中，其中所述第一本體區域包括：

第一區段，所述第一區段具有第一摻雜濃度；和

第二區段，所述第二區段橫向鄰近所述第一區段并鄰近所述第一主表面，所述第二區段具有小于所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度；

所述第一導電類型的第一源極區域，所述第一源極區域設置在所述本體區域的所述第一區段中，但是不設置在所述第二區段的至少一部分中；

絕緣柵極電極，所述絕緣柵極電極與鄰接所述第一區段、所述第二區段和所述第一源極區域的所述半導體材料區域鄰近地設置；

第一導電層，所述第一導電層電連接到所述第一區段、所述第二區段和所述第一源極區域；以及

第二導電層，所述第二導電層鄰近所述半導體材料區域的與所述第一主表面相對的第二主表面。

2.根據權利要求1所述的半導體器件結構，還包括：

電連接到所述第一源極區域的鎮流電阻器結構，其中所述鎮流電阻器結構不物理地接觸所述第一導電層。

3.根據權利要求2所述的半導體器件結構，其中：

所述鎮流電阻器結構包括設置在所述第一本體區域內的所述第一導電類型的摻雜區域；并且

所述摻雜區域設置在所述第二區段內并且橫向延伸以與所述第一區段的一部分重疊。

4.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中：

所述第一區段延伸到所述第一半導體層中達到第一深度；

所述第二區段延伸到所述第一半導體層中達到第二深度；并且

所述第一深度大于所述第二深度。

5.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中：

所述第一本體區域包括第一條帶區域；并且

所述半導體器件結構還包括：

第二本體區域，所述第二本體區域包括：

第二條帶區域，所述第二條帶區域大體平行于所述第一條帶區域；

第二本體區域第一區段，所述第二本體區域第一區段具有所述第一摻雜濃度；和

第二本體區域第二區段，所述第二本體區域第二區段具有所述第二摻雜濃度；以及

所述第一導電類型的第二源極區域，所述第二源極區域設置在所述第二本體區域第一區段內并且相對于所述第一源極區域橫向偏移。

6.根據權利要求5所述的半導體器件結構，其中：

所述第一本體區域的所述第一區段具有第一寬度；

所述第二本體區域第一區段具有不同于所述第一寬度的第二寬度；并且

所述第二寬度小于所述第一寬度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中：

所述第一本體區域包括橫向插置在所述第一區段和所述第二區段之間的第三區段；

所述第三區段包括在所述第一摻雜濃度和所述第二摻雜濃度之間的第三摻雜濃度；并且

所述第一源極區域橫向延伸到所述第三區段的至少一部分中。