[發(fā)明專利]供電構造和等離子體處理裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911273973.1 | 申請日: | 2019-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN111326397A | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 佐佐木康晴;內田陽平 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 供電 構造 等離子體 處理 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種能夠使等離子體的面內分布均勻化的供電構造和等離子體處理裝置。供電構造具備第1連接構件組和第1端子區(qū)域。第1連接構件組由多個連接構件構成,該多個連接構件以對配置于等離子體處理裝置用的處理容器內的聚焦環(huán)施加偏置電位的方式沿著聚焦環(huán)的周向配置。第1端子區(qū)域為環(huán)狀,該第1端子區(qū)域與多個連接構件電連接。
技術領域
本公開的例示的實施方式涉及供電構造和等離子體處理裝置。
背景技術
等離子體處理裝置用于電子器件的制造。等離子體處理裝置的一種記載在專利文獻1中。在專利文獻1所記載的等離子體處理裝置中,聚焦環(huán)以包圍在靜電卡盤上載置的基板的方式配置。為了調整聚焦環(huán)上的鞘層的上端位置,對聚焦環(huán)施加直流電壓。
專利文獻1:日本特開2007-258417號公報
發(fā)明內容
期待能夠使等離子體的面內分布均勻化的供電構造和等離子體處理裝置。
在一個例示的實施方式中,提供一種供電構造。供電構造具備第1連接構件組和第1端子區(qū)域。第1連接構件組由多個連接構件構成,該多個連接構件以對配置于等離子體處理裝置用的處理容器內的聚焦環(huán)施加偏置電位的方式沿著聚焦環(huán)的周向配置。第1端子區(qū)域是環(huán)狀,與多個連接構件電連接。
根據一個例示的實施方式,能夠提供能夠使等離子體的面內分布均勻化的供電構造和等離子體處理裝置。
附圖說明
圖1是概略地表示一個例示的實施方式的等離子體處理裝置的圖。
圖2是一個例示的實施方式的基板支承器的剖視圖。
圖3是一個例示的實施方式的基板支承器的局部放大剖視圖。
圖4是概略地表示一個例示的實施方式的基板支承器的聚焦環(huán)用的卡盤區(qū)域中的第1電極和第2電極的布局的圖。
圖5的(a)和圖5的(b)是一個例示的實施方式的基板支承器的局部放大剖視圖。
圖6是概略地表示其他例示的實施方式的基板支承器的卡盤區(qū)域中的第1電極和第2電極的布局的圖。
圖7是概略地表示其他例示的實施方式的基板支承器的卡盤區(qū)域中的第1電極和第2電極的布局的圖。
圖8是一個例示的實施方式的供電構造的俯視圖。
圖9是分解來表示一個例示的實施方式的供電構造的一部分的立體圖。
圖10是分解來表示一個例示的實施方式的供電構造的縱截面構造的圖。
圖11是分解來表示位于供電構造的上部的連接構件的立體圖。
圖12是位于供電構造的下部的連接構件的仰視圖。
圖13是其他例示的實施方式的供電構造的俯視圖。
圖14是分解來表示其他例示的實施方式的供電構造的一部分的立體圖。
圖15是分解來表示其他例示的實施方式的供電構造的縱截面構造的圖。
具體實施方式
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