[發明專利]光學鄰近修正方法及掩膜版的制作方法

有效

• 申請號: 201911259692.0
• 申請日: 2019-12-10
• 公開（公告）號: CN112946994B
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 舒強;王占雨;王何寧;覃柳莎
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F7/20
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜

一種光學鄰近修正方法及掩膜版的制作方法，光學鄰近修正方法包括：提供圖形單元，包括沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的多個柵極圖形，第一方向和第二方向相垂直，圖形單元還包括與柵極圖形相交的有源區圖形，有源區圖形露出柵極圖形在第一方向的線端；對有源區圖形沿第一方向進行延展處理形成延展后有源區圖形，延展后有源區圖形露出柵極圖形在第一方向的線端，柵極圖形中與延展后有源區圖形交疊邊作為第一類型邊，未與延展后有源區圖形交疊的且沿第一方向延伸的邊作為第二類型邊；將第一類型邊分割為多個第一類型片段，將第二類型邊分割為多個第二類型片段；對第一類型片段和第二類型片段進行光學鄰近修正。本發明提高光學鄰近修正的精度。

技術領域

本發明實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種光學鄰近修正方法及掩膜版的制作方法。

背景技術

光刻技術是半導體制作技術中至關重要的一項技術，光刻技術能夠實現將圖形從掩膜版中轉移到硅片上，形成符合設計要求的半導體產品。

在半導體制造中，隨著設計尺寸的不斷縮小，光的衍射效應變得越來越明顯，導致最終對設計圖形產生光學影像退化，實際形成的光刻圖案相對于掩膜版上的圖案發生嚴重畸變，最終導致在硅片上經過光刻形成的實際圖形和設計圖形不同，這種現象稱為光學鄰近效應(Optical Proximity Effect，OPE)。

為了修正光學鄰近效應，便產生了光學鄰近修正(Optical ProximityCorrection，OPC)。光學鄰近修正的核心思想就是基于抵消光學鄰近效應的考慮建立光學鄰近修正模型，根據光學鄰近修正模型設計光掩模圖形，這樣雖然光刻圖形相對應光掩模圖形會發生光學鄰近效應，但由于在根據光學鄰近修正模型設計光掩模圖形時已經考慮了對該現象的抵消，因此，光刻后的光刻圖形接近于用戶實際希望得到的目標圖形。

現有的光學鄰近修正方法中，提供目標圖形后，整個光學鄰近修正的過程包括多個循環，每次循環均對目標圖形進行修正獲得調整后的初始圖形，并計算邊緣位置誤差(Edge Placement Error，EPE)，通過判斷邊緣位置誤差是否達到標準以判斷修正是否完成，最終得到符合標準的修正后圖形。

發明內容

本發明實施例解決的問題是提供一種光學鄰近修正方法及掩膜版的制作方法，提高光學鄰近修正的精度。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種光學臨近修正方法，包括：提供圖形單元，所述圖形單元包括多個柵極圖形，所述多個柵極圖形沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，所述第一方向和第二方向相垂直，所述圖形單元還包括與所述多個柵極圖形相交的有源區圖形，所述有源區圖形露出所述柵極圖形在所述第一方向的線端；使所述有源區圖形沿所述第一方向延展，形成延展后有源區圖形，對所述有源區圖形沿所述第一方向進行延展處理，形成延展后有源區圖形，所述延展后有源區圖形露出所述柵極圖形在所述第一方向的線端，其中，所述柵極圖形中與所述延展后有源區圖形交疊的邊作為第一類型邊，所述柵極圖形中未與所述延展后有源區圖形交疊的且沿所述第一方向延伸的邊作為第二類型邊；將所述第一類型邊分割為多個第一類型片段，將所述第二類型邊分割為多個第二類型片段；對所述第一類型片段和第二類型片段進行光學鄰近修正，獲得修正后柵極圖形。

可選的，在所述圖形單元中，所述多個柵極圖形包括第一柵極圖形和多個第二柵極圖形，所述第一柵極圖形沿所述第二方向位于所述第二柵極圖形整體的兩側，在所述第二方向上，所述有源區圖形與所述第一柵極圖形部分交疊；對所述有源區圖形沿所述第一方向進行延展處理的過程中，在所述第二方向上，所述延展后有源區圖形與所述第一柵極圖形部分交疊。

可選的，在所述圖形單元中，所述多個柵極圖形包括第一柵極圖形和多個第二柵極圖形，所述第一柵極圖形沿所述第二方向位于所述第二柵極圖形整體的兩側，在所述第二方向上，所述有源區圖形與所述第一柵極圖形部分交疊；對所述有源區圖形沿所述第一方向進行延展處理的過程中，還對所述有源區圖形沿所述第二方向進行延展處理，所述延展后有源區圖形在所述第二方向上橫跨所述第一柵極圖形和第二柵極圖形。