[發明專利]基于復合介質柵雙晶體管光敏探測器的曝光方法及其電路

有效

• 申請號: 201911257874.4
• 申請日: 2019-12-10
• 公開（公告）號: CN111147772B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 馬浩文;王凱;李張南
• 申請（專利權）人: 南京威派視半導體技術有限公司
• 主分類號: H04N5/353
• 分類號: H04N5/353;H04N5/355;H04N5/369;H01L27/146
• 代理公司: 江蘇法德東恒律師事務所 32305
• 代理人: 李媛媛

1.基于復合介質柵雙晶體管光敏探測器的曝光方法，包括復合介質柵雙晶體管光敏探測器構成的陣列，所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器包括MOS-C部分和MOSFET部分，其特征在于，所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器的源端和漏端浮空，其柵端接地或施加正偏壓，探測器的襯底施加負偏壓；在讀出探測器信號時，所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器構成的陣列進行曝光，通過判斷復合介質柵雙晶體管光敏探測器MOSEFT部分閾值電壓的偏移來確定曝光值；所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器構成的陣列按行依次曝光，然后依次讀取曝光信號，每行的曝光時間相同。

2.根據權利要求1所述的基于復合介質柵雙晶體管光敏探測器的曝光方法，其特征在于，所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器的MOS-C部分包括在P型半導體襯底上方依次疊設的第一層介質層、電荷耦合層、第二層介質層和第一控制柵極；所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器的MOSFET部分包括在P型半導體襯底上方依次疊設的第一層介質層、電荷耦合層、第二頂層介質層和第二控制柵極，其中，在所述P型半導體襯底中且靠近底層介質層的一側設有N型源極區和N型漏極區，在所述P型半導體襯底中且底層介質層的下方設有閾值調節注入區。

3.基于復合介質柵雙晶體管光敏探測器的曝光方法，包括復合介質柵雙晶體管光敏探測器構成的陣列，所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器包括MOS-C部分和MOSFET部分，其特征在于，所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器的源端和漏端浮空，其柵端接地或施加正偏壓，探測器的襯底施加負偏壓；在讀出探測器信號時，所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器構成的陣列進行曝光，通過判斷復合介質柵雙晶體管光敏探測器MOSEFT部分閾值電壓的偏移來確定曝光值；所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器構成的陣列同時曝光，然后依次讀取曝光信號。

4.根據權利要求3所述的基于復合介質柵雙晶體管光敏探測器的曝光方法，其特征在于，所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器的前端還放置有機械快門。

5.基于復合介質柵雙晶體管光敏探測器的曝光方法，包括像素單元組成的陣列，所述像素單元包括復合介質柵雙晶體管光敏探測器、電荷轉移單元、電荷存儲單元和電荷復位單元，其特征在于，所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器采用如權利要求 1至4之一所述的曝光方法；所述電荷轉移單元將所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器的曝光信號轉移到電荷存儲單元內，所述電荷存儲單元儲存所述復合介質柵雙晶體管光敏探測器的曝光信號，所述電荷復位單元復位所述電荷存儲單元內的信號以方便下一次的存儲操作；在讀出探測器信號時，所述像素單元組成的陣列同時曝光，并在曝光結束后將曝光信號同步轉移到所述電荷存儲單元內，最后依次讀取所述電荷存儲單元內的曝光信號。