[發明專利]半導體器件的形成方法

在審

• 申請號: 201911252051.2
• 申請日: 2019-12-09
• 公開（公告）號: CN111081539A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 謝素蘭
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/324;H01L21/31
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供一種半導體器件的形成方法，在本發明提供的半導體器件的形成方法中，通過對所述半導體襯底執行烘烤工藝，去除所述半導體襯底上的水汽或者雜質；形成介質層，所述介質層覆蓋所述金屬層。其中，對所述半導體襯底執行烘烤工藝能夠避免水汽和雜質等異常物質對所述半導體襯底造成缺陷。以及增加所述半導體襯底表面氧化物反應活性，使后續工藝中形成的介質層能夠與金屬層有效的粘合。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，特別涉及一種半導體器件的形成方法。

背景技術

在半導體器件的形成過程中，通常情況下，可以在半導體襯底上形成具有良好的密封性和較高的刻蝕比的膜層，從而避免空氣中的水分、氧氣等物質滲入與加工過的半導體襯底發生化學反應，影響器件的電學性能，降低產品質量。在現有技術中，無法將半導體襯底表面產生的水汽等雜質完全清除，在形成膜層以后，在半導體襯底上會產生一些缺陷，比如，會產生一些凹凸或者鼓包狀的缺陷，以及形成的膜層無法與半導體襯底或者半導體襯底上的工藝層有效粘合。因此，會對后續工藝造成很大的影響。如圖1所示，圖1為現有技術中產生的缺陷圖，在半導體襯底10上會產生大小不同的缺陷，該缺陷會影響器件的性能，從而降低產品的質量。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體器件的形成方法，以解決半導體襯底上出現的異常缺陷的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種半導體器件的形成方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有金屬層，并且所述半導體襯底置于一反應腔室內；

對所述半導體襯底執行烘烤工藝，去除所述半導體襯底上的水汽或者雜質；

形成介質層，所述介質層覆蓋所述金屬層。

可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，所述烘烤工藝的烘烤溫度為 300℃-400℃。

可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，所述烘烤工藝的烘烤時間為30s-60s。

可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，在對所述半導體襯底執行烘烤工藝之后，所述半導體器件的形成方法還包括，將去除的所述水汽或者雜質排出所述反應腔室。

可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，通過在所述反應腔室內通入氮氣將所述水汽或雜質排出所述反應腔室。

可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，將去除的所述水汽或者雜質排出所述反應腔室之后，所述半導體器件的形成方法還包括，對所述金屬層進行預處理工藝，以去除所述金屬層上的氧化物。

可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，通過在所述反應腔室內通入氨氣對所述金屬層進行預處理工藝。

可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，所述金屬層的材料為銅、鋁、鐵、鉀、鈉和鋅其中的一種或者多種組合。

可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，通過沉積的方法形成所述介質層。

可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，所述介質層的材料為氮化硅。

本發明提供的半導體器件的形成方法中，通過對所述半導體襯底執行烘烤工藝，去除所述半導體襯底上的水汽或者雜質；形成介質層，所述介質層覆蓋所述金屬層。由此通過所述烘烤工藝避免因水汽和雜質等異常物質對所述半導體襯底造成的缺陷，以及增加所述半導體襯底表面氧化物反應活性，使后續工藝形成的介質層能夠與金屬層有效的粘合。

附圖說明

圖1是現有技術中的半導體襯底表面的結構示意圖；

圖2是本發明具體實施例的半導體器件的形成方法的流程圖；

圖3是本發明具體實施例的半導體器件的形成方法中形成的結構示意圖；