[發明專利]硅晶圓研磨用組合物

在審

• 申請號: 201911251975.0
• 申請日: 2015-04-07
• 公開（公告）號: CN111040731A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 土屋公亮;丹所久典;森嘉男
• 申請（專利權）人: 福吉米株式會社
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14;H01L21/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

本發明提供一種硅晶圓研磨用組合物，其降低硅晶圓表面的霧度的效果優異。此處所提供的硅晶圓研磨用組合物含有磨粒、硅晶圓研磨促進劑、含酰胺基聚合物及水。含酰胺基聚合物在主鏈中具有源自下述通式(1)所示的單體的結構單元A。另外，磨粒的平均二次粒徑為10nm以上且60nm以下。

本申請是申請日為2015年4月7日、申請號為201580020002.X、發明名稱為“硅晶圓研磨用組合物”的申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及硅晶圓的研磨中使用的研磨用組合物。

背景技術

被用作半導體制品的構成要素等的硅晶圓的表面通常經過打磨(lapping)工序(粗研磨工序)和拋光(polishing)工序(精密研磨工序)而被精加工成高品質的鏡面。拋光工序典型而言包括預拋光工序(預研磨工序)和最終拋光工序(最終研磨工序)。作為拋光工序中的研磨方法，已知有使研磨液中含有水溶性聚合物的化學機械研磨法。在該方法中，水溶性聚合物在磨粒、硅晶圓上吸附、脫離有助于減少研磨表面的缺陷、降低霧度。作為硅晶圓的研磨用組合物相關的技術文獻，例如可以舉出專利文獻1。需要說明的是，專利文獻2為在研磨氧化硅的用途中使用的研磨劑相關的技術文獻。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特許第4772156號公報

專利文獻2：國際公開第2007/055278號

發明內容

發明要解決的問題

近年來，對硅晶圓等半導體基板以及其它基板，要求更高品質的表面。因此，要求能實現霧度更低的基板表面的研磨用組合物。

因此本發明的目的在于，提供降低研磨對象物表面的霧度的性能優異的硅晶圓研磨用組合物。

用于解決問題的方案

根據本說明書，提供硅晶圓研磨用組合物。本發明的一個實施方式的硅晶圓研磨用組合物含有磨粒、硅晶圓研磨促進劑、含酰胺基聚合物及水。含酰胺基聚合物在主鏈中具有源自下述通式(1)所示的單體的結構單元A。而且，磨粒的平均二次粒徑為10nm以上且60nm以下。通過所述硅晶圓研磨用組合物，能夠有效地降低硅晶圓表面的霧度。

需要說明的是，上述通式(1)中的R¹為氫原子、碳數1以上且6以下的烷基、烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷醇基、乙酰基、苯基、芐基、氯基、二氟甲基、三氟甲基或氰基。另外，R²、R³相同或不同，均為氫原子、碳數1以上且18以下的烷基、烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷醇基、乙酰基或碳數6以上且60以下的芳香族基團，這些之中除了氫原子以外，包括具有取代基的情況。但不包括R²、R³這兩者為氫原子的情況。

在上述的一個實施方式的硅晶圓研磨用組合物中，可以將磨粒的平均一次粒徑設為5nm以上且32nm以下。根據所述方式，會更好地發揮降低霧度的效果。

另外，在上述的一個實施方式的硅晶圓研磨用組合物中，可以將所含的顆粒的體積平均粒徑D_A設為10nm以上且80nm以下。根據所述方式，會更好地發揮降低霧度的效果。

進而，在上述的一個實施方式的硅晶圓研磨用組合物中，含酰胺基聚合物可以為非離子性。通過使用含有非離子性的含酰胺基聚合物的硅晶圓研磨用組合物，會適宜地發揮降低霧度的效果。