[發明專利]有機發光顯示面板及有機發光顯示裝置在審
| 申請號: | 201911249475.3 | 申請日: | 2019-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN111029381A | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發明(設計)人: | 汪博 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 面板 顯示裝置 | ||
一種有機發光顯示面板及有機發光顯示裝置。有機發光顯示面板包括有效顯示區、攝像頭區、陣列基板及發光層。發光層設于陣列基板上,并包括像素定義層及設于像素定義層上的陰極層。像素定義層定義有多個像素區,其對應陣列基板的多個薄膜晶體管模組設置。至少一透光孔設于攝像頭區內,并位于相鄰的像素區之間,且穿透所述陰極層。通過透光孔的結構,可以有效提高攝像頭區的透光率,改善攝像頭的成像質量。
【技術領域】
本申請涉及顯示技術領域,特別是涉及一種有機發光顯示面板及有機發光顯示裝置。
【背景技術】
有機發光顯示(organic light-emitting display,OLED),由于具有無需背光源、高對比度、超輕薄的顯著特點已經成為當今最重要的顯示技術之一,正在逐步替代薄膜晶體管液晶顯示器(thin-film-transistor liquid-crystal dispaly,TFT-LCD),有望成為繼液晶顯示器之后的下一代主流顯示技術。
目前行業存在的最大問題是屏下攝像頭技術(cameraunder panel,CUP)。不管是哪一種顯示屏,即便是不顯示的時候,屏幕的透過率都比較低,而且還不能保證屏體各種部分的透過率是一樣的,特別是把它作為攝像頭前面的一層光學層來處理的話?,F在的攝像頭技術對傳感器前面的各種光學鏡頭和鏡片的要求都很高,為的就是能夠真正的還原出外界映射到傳感器上的信息能夠相對準確,并且采集的信息也容易糾正外理。根據實驗數據顯示,LCD的顯示屏熄屏時的最高透過率不會超過10%,里面還是黑色光罩與金屬線路網格的干擾,勉強成像,效果極差。而在OLED顯示屏部分,熄屏時的最高透過率在40%左右,同樣要遇到LCD顯示屏類似的問題。此外,由于傳統OLED屏幕的金屬陰極采用普通光罩蒸鍍,而金屬材料的消光系數通常較高,導致OLED屏幕的透光率很低。因此,提高OLED顯示屏的透過率是屏下攝像頭技術亟待解決的問題。
【申請內容】
本申請的目的在于提供一種有機發光顯示面板,其具有可以改善攝像頭成像質量的結構,并在保證面板發光性能下,提高攝像所述的透光率。
為實現上述目的,本申請提供一種有機發光顯示面板,包括有效顯示區及攝像頭區。所述有機發光顯示面板包括:陣列基板,包括襯底基板、設于襯底基板上的功能膜層及多個薄膜晶體管模組;發光層,設于所述陣列基板上,并包括像素定義層及設于所述像素定義層上的陰極層,其中所述像素定義層定義有多個像素區,其對應所述多個薄膜晶體管模組設置,且每一所述像素區包括像素電極及設于所述像素電極上的有機發光層,所述像素電極電性連接于相應的所述薄膜晶體管模組;以及至少一透光孔,設于所述攝像頭區內,并位于相鄰的所述像素區之間,且穿透所述陰極層。
進一步的,所述透光孔為復數個,其相互間隔圍繞至少一所述像素區設置,且每一所述透光孔具有圓形構型。
進一步的,所述透光孔為復數個,其相互間隔排列于至少一所述像素區的相對二側外,且每一所述透光孔具有長條構型。
進一步的,所述攝像頭區均等分割有多個子區,且每一所述子區內設有至少一所述透光孔。
進一步的,所述像素定義層和所述陰極層之間更設有輔助陰極層,其中所述透光孔設于所述輔助陰極層上方。
進一步的,所述輔助陰極層為半透明導電氧化物所制,且所述陰極層的材料選自銀、金、銅、鋁及其組合的其中之一。
進一步的,所述透光孔具有2-12微米的直徑或寬度。
進一步的,所述像素電極包括依序疊設的第一氧化銦錫層、銀金屬層及第二氧化銦錫層。
進一步的,所述有機發光顯示面板更包括多個間隔物,其相互間隔設置于所述陰極層上,并突出于所述陰極層,且所述多個間隔物用于支撐封裝蓋板。
本申請另外提供一種有機發光顯示裝置,其包括任一前述的有機發光顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





