[發明專利]一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號： | 201911231434.1 | 申請日： | 2019-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN111063693A | 公開（公告）日： | 2020-04-24 |
| 發明（設計）人： | 李嘉 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L27/15;H01L21/84 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板，其特征在于，包括顯示區和圍繞所述顯示區的非顯示區；以及
基板，從所述顯示區延伸至所述非顯示區；
光阻層，設于所述顯示區的所述基板上；
微型發光二極管層，設于所述非顯示區的所述基板上。
2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述基板包括：
襯底層，從所述顯示區延伸至所述非顯示區；
柵極層；設于所述顯示區的所述襯底層上；
柵極絕緣層，設于所述基板層和所述柵極層上，且從所述顯示區延伸至所述非顯示區；
有源層，設于所述顯示區的所述柵極絕緣層上；
源漏極層，設于所述有源層上和所述非顯示區的所述柵極絕緣層上；
平坦層，設于所述顯示區的所述源漏極層和所述柵極絕緣層上；
像素電極層，設于所述平坦層上，且與所述柵極層相接；
其中所述光阻層，設于所述像素電極層和所述平坦層上，所述微型發光二極管層設于所述非顯示區的所述源漏極層上。
3.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述光阻層采用正性光阻或負性光阻。
4.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述光阻層為白色反光材料。
5.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述光阻層的厚度為0.8-3um。
6.一種制備方法，用以制備如權利要求1所述的顯示面板，所述顯示面板包括顯示區和圍繞所述顯示區的非顯示區，其特征在于，制備方法包括以下步驟：
提供一基板，所述基板從所述顯示區延伸至所述非顯示區；
制備光阻層于所述顯示區的所述基板上；
制備微型發光二極管層于所述非顯示區的所述基板上。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述微型發光二極管層是通過貼片工藝制備的。
8.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述光阻層是通過涂布的方式制備的。
9.根據權利要求6所述的顯示面板，其特征在于，提供一基板的步驟包括
提供一襯底層，所述襯底層從所述顯示區延伸至所述非顯示區；
制備柵極層于所述顯示區的所述襯底層上；
制備柵極絕緣層于所述基板層和所述柵極層上，所述柵極絕緣層從所述顯示區延伸至所述非顯示區；
制備有源層于所述顯示區的所述柵極絕緣層上；
制備源漏極層于所述有源層上和所述非顯示區的所述柵極絕緣層上；
制備平坦層于所述顯示區的所述源漏極層和所述柵極絕緣層上；
制備像素電極層于所述平坦層上，所述像素電極層且與所述柵極層相接；
其中所述光阻層，設于所述像素電極層和所述平坦層上，所述微型發光二極管層設于所述非顯示區的所述源漏極層上。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
