[發明專利]半導體結構及其形成方法在審
| 申請號： | 201911203694.8 | 申請日： | 2019-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN111244027A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 黃柏瑜;林詩哲;王朝勛;趙高毅;王美勻;張峰瑜;林睿哲;高承遠 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 韓旭;黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種形成半導體結構的方法，該方法包括：
于一基板上形成一第一介電層；
于該第一介電層中形成一第一導電部件，該第一導電部件電性連接至一第一導電區；
形成一第二介電層于該第一介電層及該第一導電部件之上；
延伸穿過該第一介電層及該第二介電層形成一第一開口，暴露一第二導電區；
于該第一開口中形成一第一導電材料；
在該第一開口中的該第一導電材料之上形成一第二導電材料；
形成一圖案化遮罩于該第二介電層之上，該圖案化遮罩覆蓋該第一開口以及暴露垂直于該第一導電部件之上的該第二介電層的一區域；
使用該圖案化遮罩作為一遮罩，于該第二介電層中形成一第二開口，該第二開口暴露該第一導電部件的一部分；
去除該圖案化遮罩；以及
于該第一開口及該第二開口中沉積一第三導電材料，該第三導電材料填充該第一開口及該第二開口。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
