[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911199853.1
• 申請(qǐng)日: 2019-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112885772B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳恩浩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 黃麗

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：提供晶圓，晶圓限定有第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域內(nèi)形成有完整芯片，第二區(qū)域內(nèi)形成有殘缺芯片；在第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成疊層結(jié)構(gòu)，在第一區(qū)域上的疊層結(jié)構(gòu)內(nèi)形成電容孔；在電容孔表面及疊層結(jié)構(gòu)的表面形成第一電極層；通過(guò)在第一電極層上形成開(kāi)口去除電容孔之間的犧牲層。整個(gè)制作過(guò)程中僅去除晶圓上完整芯片內(nèi)的犧牲層，而位于第一區(qū)域外的其他芯片區(qū)域內(nèi)犧牲層則不會(huì)被去除，避免了其他芯片區(qū)域中不完整的芯片中出現(xiàn)不接觸底部支撐層的電容，因此不容易出現(xiàn)坍塌且脫落的缺陷，也不會(huì)在刻蝕腔中飄散，減少出現(xiàn)飄散的缺陷導(dǎo)致其他完整的芯片出現(xiàn)缺陷的情況，提高良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備的方法。

背景技術(shù)

在存儲(chǔ)器產(chǎn)品中，電容是一種核心元器件，但是電容刻蝕時(shí)深寬比較大，位于晶圓邊緣一些不完整的晶粒在曝光時(shí)因?yàn)樯⒔咕鄬?dǎo)致掩膜層上生成的孔洞過(guò)小，因此在后續(xù)刻蝕電容孔的過(guò)程中容易刻蝕不足，形成的電容柱并未生成在最底部的支撐層上，因此在去除掉犧牲層后部分電容呈懸空狀態(tài)，容易倒塌脫落，在刻蝕的過(guò)程中脫落的缺陷會(huì)在刻蝕腔中飄散，從而可能對(duì)整個(gè)晶圓的良率產(chǎn)生影響。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)上述問(wèn)題，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備方法，其具有減少制備過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷，提升晶圓良率的效果。

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

提供晶圓，所述晶圓限定有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域內(nèi)形成有完整芯片，所述第二區(qū)域內(nèi)形成有殘缺芯片；

在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域上形成疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括支撐層和犧牲層；

在所述第一區(qū)域上的所述疊層結(jié)構(gòu)內(nèi)形成電容孔；

在所述電容孔表面及所述疊層結(jié)構(gòu)的表面形成第一電極層；

通過(guò)在所述第一電極層上形成開(kāi)口去除所述電容孔之間的所述犧牲層，保留所述第二區(qū)域的所述犧牲層。

通過(guò)上述技術(shù)方案，使得在晶圓的處理過(guò)程中，僅去除晶圓中第一區(qū)域的犧牲層，因此在整個(gè)制作過(guò)程中僅去除晶圓上完整芯片內(nèi)的犧牲層，而位于第一區(qū)域外的其他芯片區(qū)域內(nèi)犧牲層則不會(huì)被去除，避免了其他芯片區(qū)域中不完整的芯片中出現(xiàn)不接觸底部支撐層的電容，因此不容易出現(xiàn)坍塌且脫落的缺陷，也不會(huì)在刻蝕腔中飄散，減少出現(xiàn)飄散的缺陷導(dǎo)致其他完整的芯片出現(xiàn)缺陷的情況，提高良率。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一區(qū)域位于晶圓內(nèi)部；

所述第二區(qū)域內(nèi)位于晶圓邊緣。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述第一區(qū)域上的所述疊層結(jié)構(gòu)內(nèi)形成電容孔包括如下步驟：

在所述疊層結(jié)構(gòu)上形成第一圖案層，所述第一圖案層包括沿第一方向排列的第一線(xiàn)條；

在所述第一圖案層上形成填充層；

在所述填充層上形成第二圖案層，所述第二圖案層包括沿第二方向排列的第二線(xiàn)條；

所述第一方向與所述第二方向的夾角為銳角或鈍角；

利用所述第一線(xiàn)條和所述二線(xiàn)條為掩模刻蝕所述疊層結(jié)構(gòu)，在所述疊層結(jié)構(gòu)中形成所述電容孔。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述第二區(qū)域上的所述疊層結(jié)構(gòu)上形成所述第一線(xiàn)條、所述填充層和所述第二線(xiàn)條；

在所述第二線(xiàn)條上形成掩模層，所述掩模層覆蓋所述第二區(qū)域上的所述第二線(xiàn)條；

利用所述第一線(xiàn)條、所述二線(xiàn)條和所述掩模層為掩模刻蝕所述疊層結(jié)構(gòu)，在所述第一區(qū)域上的疊層結(jié)構(gòu)中形成所述電容孔。