[發(fā)明專利]一種造孔劑優(yōu)化SiOx@C性能的制備方法

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• 申請日: 2019-11-29
• 公開（公告）號: CN111082000A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡培;徐杉;史德友
• 申請（專利權(quán)）人: 湖北萬潤新能源科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: H01M4/36
• 分類號: H01M4/36;H01M4/48;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525
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1.一種造孔劑優(yōu)化SiOx@C性能的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）將生物質(zhì)硅源混合，酸洗干燥，置于爐中，通入保護(hù)氣，在一定溫度下反應(yīng)一定時(shí)間，得到產(chǎn)物A；

2）將產(chǎn)物A與金屬粉按一定比例混合，加入一定量熔融鹽和造孔劑，球磨均勻，置于爐中，通入保護(hù)氣，在一定溫度下反應(yīng)一定時(shí)間，酸洗干燥，得到產(chǎn)物B，產(chǎn)物B為SiOx@C材料。

2.如權(quán)利要求1所述造孔劑優(yōu)化SiOx@C性能的制備方法，其特征在于：所述的SiOx@C材料是一種SiOx（0＜x＜2）與碳復(fù)合的材料。

3.如權(quán)利要求1所述SiOx@C材料的制備方法，其特征在于：所述生物質(zhì)硅源為椰子殼，稻殼，竹葉，秸稈中的一種或兩種以上。

4.如權(quán)利要求1所述SiOx@C材料的制備方法，其特征在于：所述酸洗使用的酸為氫氟酸，鹽酸，磷酸，硫酸中的一種或兩種以上，濃度為0.1-10 mol/L。

5.如權(quán)利要求1所述SiOx@C材料的制備方法，其特征在于：所述步驟1）燒結(jié)過程中，燒結(jié)溫度在400-700℃，燒結(jié)時(shí)間在2-12小時(shí)。

6.如權(quán)利要求1所述SiOx@C材料的制備方法，其特征在于：所述金屬粉為鋁粉，銅粉，鎂粉，鐵粉中的一種或兩種以上。

7.如權(quán)利要求1所述氧化亞硅碳復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所述生物質(zhì)硅源中硅與金屬粉摩爾比例為0.5-1。

8.如權(quán)利要求1所述SiOx@C材料的制備方法，其特征在于：所述熔融鹽為鹵鹽包括氯化鈉，氯化鉀，氯化鈣，溴化鈉中的一種或兩種以上，熔融鹽與生物質(zhì)硅源質(zhì)量比為0.5-5。

9.如權(quán)利要求1所述SiOx@C材料的制備方法，其特征在于：所述造孔劑為氯化鋅，氯化鎂中的一種或兩種以上，造孔劑與生物質(zhì)硅源質(zhì)量比為0.1-1。

10.如權(quán)利要求1所述SiOx@C材料的制備方法，其特征在于：所述燒結(jié)過程中，采用惰性氣體為氮?dú)猓瑲鍤猓瑲錃寤旌蠚獾囊环N或兩種以上。

11.如權(quán)利要求1所述SiOx@C材料的制備方法，其特征在于：所述步驟2）燒結(jié)過程中，燒結(jié)溫度在600-1000℃，燒結(jié)時(shí)間在2-12小時(shí)。