[發(fā)明專利]發(fā)光二極管外延片、發(fā)光二極管模塊及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911193467.1 | 申請日： | 2019-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN110957409B | 公開（公告）日： | 2020-11-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蘭葉;吳志浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/44;H01L33/30;H01L33/06;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 215600 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 外延 模塊 及其 制作方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管模塊的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
分別在電路板上設(shè)置紅光芯片、綠光芯片和藍(lán)光芯片，所述紅光芯片和所述藍(lán)光芯片分別與所述綠光芯片相對設(shè)置，所述紅光芯片、所述綠光芯片和所述藍(lán)光芯片均包括依次層疊在所述電路板上的P型電極、透明導(dǎo)電層、空穴產(chǎn)生層、有源層、電子產(chǎn)生層和透明基板；
采用激光剝離的方式去除所述紅光芯片、所述綠光芯片和所述藍(lán)光芯片中的透明基板；
在所述紅光芯片和所述藍(lán)光芯片中的電子產(chǎn)生層遠(yuǎn)離所述綠光芯片的區(qū)域上形成半透明薄膜；
在所述紅光芯片、所述綠光芯片和所述藍(lán)光芯片中的電子產(chǎn)生層上設(shè)置N型電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述紅光芯片、所述綠光芯片和所述藍(lán)光芯片排成一條直線，或者，所述紅光芯片、所述綠光芯片和所述藍(lán)光芯片排成品字形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，當(dāng)所述紅光芯片、所述綠光芯片和所述藍(lán)光芯片排成品字形時，所述制作方法還包括：
在所述綠光芯片中的電子產(chǎn)生層遠(yuǎn)離所述紅光芯片和所述藍(lán)光芯片的區(qū)域上形成半透明薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：
在所述半透明薄膜和所述電子產(chǎn)生層未形成所述半透明薄膜的區(qū)域上形成透明導(dǎo)電薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
形成散射層，所述散射層與所述紅光芯片、所述綠光芯片和所述藍(lán)光芯片相對設(shè)置，且所述散射層和所述電路板分別位于所述紅光芯片、所述綠光芯片和所述藍(lán)光芯片的兩側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在GaAs襯底上低溫生長GaAs緩沖層；
在所述GaAs緩沖層上生長晶格引導(dǎo)層，所述晶格引導(dǎo)層由依次層疊的GaAs層/GaInP層超晶格結(jié)構(gòu)、GaAs層/AlGaInP層超晶格結(jié)構(gòu)和GaAs層/AlInP層超晶格結(jié)構(gòu)組成，所述GaInP層中Ga組分的含量、所述AlGaInP層中Al組分和Ga組分的含量之和、均與所述AlInP層中Al組分的含量相等；
在所述晶格引導(dǎo)層上依次生長N型AlInP限制層、電子產(chǎn)生層、有源層和空穴產(chǎn)生層，形成制作所述紅光芯片的外延片。
7.一種發(fā)光二極管模塊，其特征在于，所述發(fā)光二極管模塊包括電路板(10)和分別設(shè)置在所述電路板(10)上的紅光芯片(21)、綠光芯片(22)和藍(lán)光芯片(23)，所述紅光芯片(21)和所述藍(lán)光芯片(23)分別與所述綠光芯片(22)相對設(shè)置，所述紅光芯片(21)、所述綠光芯片(22)和所述藍(lán)光芯片(23)均包括依次層疊在所述電路板(10)上的P型電極(31)、透明導(dǎo)電層(32)、空穴產(chǎn)生層(33)、有源層(34)、電子產(chǎn)生層(35)和N型電極(36)，所述紅光芯片(21)和所述藍(lán)光芯片(23)中的電子產(chǎn)生層(35)遠(yuǎn)離所述綠光芯片(22)的區(qū)域上設(shè)有半透明薄膜(37)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管模塊，其特征在于，所述紅光芯片(21)、所述綠光芯片(22)和所述藍(lán)光芯片(23)排成品字形，所述綠光芯片(22)中的電子產(chǎn)生層(35)遠(yuǎn)離所述紅光芯片(21)和所述藍(lán)光芯片(23)的區(qū)域上形成半透明薄膜(37)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的發(fā)光二極管模塊，其特征在于，所述發(fā)光二極管模塊還包括散射層(50)，所述散射層(50)與所述紅光芯片(21)、所述綠光芯片(22)和所述藍(lán)光芯片(23)相對設(shè)置，且所述散射層(50)和所述電路板(10)分別位于所述紅光芯片(21)、所述綠光芯片(22)和所述藍(lán)光芯片(23)的兩側(cè)。
10.一種發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述發(fā)光二極管外延片包括GaAs襯底(41)以及依次層疊在所述GaAs襯底(41)上的GaAs緩沖層(42)、晶格引導(dǎo)層(43)、N型AlInP限制層(44)、電子產(chǎn)生層(35)、有源層(34)和空穴產(chǎn)生層(33)，所述晶格引導(dǎo)層(43)由依次層疊的GaAs層/GaInP層超晶格結(jié)構(gòu)(431)、GaAs層/AlGaInP層超晶格結(jié)構(gòu)(432)和GaAs層/AlInP層超晶格結(jié)構(gòu)(433)組成，所述GaInP層(431b)中Ga組分的含量、所述AlGaInP層(432b)中Al組分和Ga組分的含量之和、均與所述AlInP層(433b)中Al組分的含量相等。
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