[發明專利]用于化學機械研磨系統的平臺

在審

• 申請號: 201911192803.0
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN111230722A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 賴宗龍;陳政炳;陳世忠;彭升泰;洪榮隆
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B24B37/00
• 分類號: B24B37/00;B24B37/34
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 任蕓蕓;鄭特強

本公開實施例提供一種用于化學機械研磨系統的平臺。上述平臺包括在平臺之中的一或多個凹部，以安置用于研磨/平坦化工藝的各種構件。平臺包括第一凹部以及第二凹部。第一凹部位于第二凹部之下。終點檢測器放置在第一凹部中，且檢測器蓋可被放置在第二凹部中。密封裝置被提供在終點檢測器與檢測器蓋之間的空間，以防止任何外部或外來的材料接觸終點檢測器。拴件被用以將檢測器蓋拴至平臺，也提供附加的防護以防止外來的材料接觸被容納在凹部的構件。

技術領域

本公開實施例涉及一種平臺，尤其涉及一種用于化學機械研磨系統的平臺。

背景技術

化學機械研磨或化學機械平坦化(chemical mechanical polishing/chemicalmechanical planarization，CMP)在半導體制造中是很重要的步驟。化學機械研磨/平坦化運用化學及機械交互作用而結合的效果以研磨及平坦化表面。也就是說，化學機械研磨/平坦化是被用以達成一或多個材料層的實質上平坦且平滑的表面，例如工件(例如半導體晶片)上的半導體、電介質及金屬化層。當目的為去除表面材料時，CMP是指化學機械研磨。另一方面，當目的為將表面扁平化時，CMP是指化學機械平坦化。此制造工藝是用以制作例如集成電路、微處理器、存儲器晶片等。

用于研磨及平坦化工件上的材料層的化學機械研磨/平坦化工藝的其中一步驟為在工件及墊之間分配化學研磨漿，且此工件被施加下壓力(downforce)而接觸此墊。研磨漿(slurry)通常為具有磨料及腐蝕特征的腐蝕劑。為了以后的使用，在研磨漿被施加且化學機械研磨/平坦化工藝完成之后，墊及支持墊的平臺的研磨漿殘留物被清除。

發明內容

本公開實施例提供一種用于化學機械研磨系統的平臺，包括：一單元式平臺、一第一凹部部分以及一第二凹部部分。單元式平臺包括在平臺的面上的上方表面、在平臺的相反面的下方表面以及一軸，且在操作中平臺繞著軸旋轉；第一凹部部分在平臺的上方表面中，第一凹部部分具有從上方表面延伸至平臺之中的深度，以及平行上方表面的橫向尺寸；第二凹部部分在平臺中，第二凹部部分具有深度且從第一凹部部分的底部朝向平臺的下方表面而延伸至平臺之中，第二凹部部分具有平行上方表面的橫向尺寸，第二凹部部分的橫向尺寸與第一凹部部分的橫向尺寸不同。

本公開實施例提供一種化學機械研磨系統，包括：一平臺以及一驅動組件。驅動組件耦接至平臺，驅動組件配置以在一選定方向旋轉平臺。上述平臺包括：一單元式平臺、一第一凹部部分以及一第二凹部部分。單元式平臺包括在平臺的面上的墊表面、在平臺的相反面上的驅動組件表面以及一軸，且在操作中平臺繞著軸旋轉；第一凹部部分從單元式平臺的墊表面朝向驅動組件表面而延伸；第二凹部部分從第一凹部部分的底部朝向驅動組件表面而延伸至單元式平臺之中，在第一凹部部分的底部及第二凹部部分的底部之間的距離比在墊表面及第一凹部部分的底部之間的距離更長。

本公開實施例提供一種化學機械研磨系統，包括：一平臺，配置以安裝一基板，上述平臺包括：一單元式平臺、一第一凹部部分、一第二凹部部分以及一第三凹部部分。單元式平臺包括在平臺的面上的第一表面、在平臺的相反面上的第二表面、以及鄰接至第二表面的一軸，且在操作中單元式平臺繞著軸旋轉；第一凹部部分從單元式平臺的第一表面朝向第二表面而延伸；第二凹部部分從第一凹部部分的底部朝向第二表面而延伸至單元式平臺之中，在第一凹部部分的底部及第二凹部部分的底部之間的距離比在第一表面及第一凹部部分的底部之間的距離更長；第三凹部部分從第二凹部部分的底部朝向單元式平臺的第二表面而延伸。

附圖說明

根據以下的詳細說明并配合所附附圖做完整公開。應被強調的是，根據本產業的一般作業，圖示并未必按照比例繪制。事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明。

圖1根據本公開的一實施例概要地示出部分化學機械研磨裝置的立體圖。

圖2為相關技術的一般化學機械研磨裝置的剖面圖。