[發明專利]一種銅材料表面的電化學拋光方法有效
| 申請號: | 201911187583.2 | 申請日: | 2019-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN110846710B | 公開(公告)日: | 2021-04-23 |
| 發明(設計)人: | 劉洋;董笑瑜;梁田;吳亞琴;成紅霞;唐中華;呂婧 | 申請(專利權)人: | 南京三樂集團有限公司 |
| 主分類號: | C25F3/22 | 分類號: | C25F3/22 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 李瓊 |
| 地址: | 210000 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 材料 表面 電化學 拋光 方法 | ||
本發明涉及一種銅材料表面的電化學拋光方法,包括如下步驟:配制拋光溶液;將待拋光銅材料浸入拋光溶液中,開通電源進行拋光;其中,配制拋光溶液包括:根據要配制溶液的總體積計算各溶質的用量,溶質包括磷酸、丙三醇、硫脲和聚氧乙烯烷醇酰胺;根據計算結果,稱取磷酸、丙三醇導入耐腐蝕容器中,加水至達到所述總體積,攪拌溶解得到第一中間溶液;根據計算結果,稱取硫脲并加入到第一中間溶液中,攪拌溶解得到第二中間溶液;根據計算結果,量取聚氧乙烯烷醇酰胺并加入到第二中間溶液中,攪拌均勻得到拋光溶液。本發明能使銅精密零件的表面粗糙度從Ra0.4μm提高至Ra0.2μm,以滿足真空電子器件使用要求。
技術領域
本發明涉及一種電化學拋光方法,尤其涉及一種銅材料表面的電化學拋光方法。
技術背景
銅材料由于其卓越的高電導率和低損耗性能,廣泛應用于真空電子器件中,但對于一些高精度的零件,其中以慢波系統的關鍵零件——微小型高頻腔體和L波段空間行波管的連接環為代表。一般而言,為了保證真空電子器件的傳輸損耗、增益、輸出功率以及穩定性,零件表面粗糙度要求達到Ra0.2μm,因微小型高頻腔體和L波段空間行波管的連接環的材質為無氧銅,質軟,加工后表面粗糙度相對較差,僅能達到Ra0.4μm,且在棱角、邊緣處會產生微小毛刺。若不進行處理,將影響真空電子器件的傳輸損耗、增益、輸出功率以及穩定性。
發明內容
發明目的:為克服現有技術中存在的不足,本發明提供一種銅材料表面的電化學拋光方法,用以降低銅精密零件的表面粗糙度,以滿足真空電子器件使用要求。
技術方案:本發明的銅材料表面的電化學拋光方法包括如下步驟:(1)配制拋光溶液;(2)將待拋光銅材料浸入拋光溶液中,開通電源進行拋光;其中,步驟(1)具體包括:(11)根據要配制溶液的總體積計算各溶質的用量,溶質包括磷酸、丙三醇、硫脲和聚氧乙烯烷醇酰胺;(12)根據計算結果,稱取磷酸、丙三醇導入耐腐蝕容器中,加水至所述總體積,攪拌溶解得到第一中間溶液;(13)根據計算結果,稱取硫脲并加入到所述第一中間溶液中,攪拌溶解得到第二中間溶液;(14)根據計算結果,量取聚氧乙烯烷醇酰胺并加入到所述第二中間溶液中,攪拌均勻得到所述拋光溶液。
進一步地,上述銅材料表面的電化學拋光方法還包括如下步驟:(3)關閉電源,取出銅材料,脫水并烘干。
進一步地,步驟(11)具體包括:每配制1L拋光溶液,各溶質的用量分別為:磷酸:50-60mL;丙三醇:80-100mL;硫脲:2-3g;聚氧乙烯烷醇酰胺:0.5-0.8mL。
進一步地,步驟(2)中,所開通的電源的電流密度為5-6A/dm2,頻率為5000Hz,占空比為5%-15%,拋光時間為15-20s,拋光在室溫下進行。
原理:選擇上述組分及范圍的原因是:
磷酸:磷酸是銅基體表面黏膜的主要成分,同時與丙三醇的協同作用,可以顯著提高膜層的均勻性,如添加磷酸高于本發明范圍,則膜層電阻過大,局部出現欠拋光,而當磷酸的量少于本發明范圍,則膜層電阻過小,局部出現拋光過度,因此,上述范圍為本發明的最佳范圍。
丙三醇:丙三醇可以輔助磷酸在基體表面成膜,如添加丙三醇高于本發明范圍,成膜過厚,且不均勻,如丙三醇低于本發明范圍,則成膜不連續,因此,上述范圍為本發明的最佳范圍。
硫脲:硫脲作為緩蝕劑,可以明顯降低基體的溶解速度,如添加硫脲高于本發明范圍,則基體的溶解速度無法再降低,且會影響拋光效果,如添加硫脲低于本發明范圍,則基體的溶解速度將會提高。
聚氧乙烯烷醇酰胺:聚氧乙烯烷醇酰胺作為表面活性劑,可以加速基體表面起泡的排出,如添加聚氧乙烯烷醇酰胺高于本發明范圍,聚氧乙烯烷醇酰胺會在基體表面析出,如添加聚氧乙烯烷醇酰胺低于本發明范圍,則會降低基體表面氣泡的排出速度。
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