[發明專利]半導體的形成方法

在審

• 申請號: 201911183899.4
• 申請日: 2019-11-27
• 公開（公告）號: CN110854120A
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發明（設計）人: 何理;巨曉華;王奇偉
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L21/28;H01L21/311
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導體的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半導體；

在所述半導體上形成隧穿氧化層；

刻蝕所述隧穿氧化層和所述襯底形成淺溝槽隔離結構；

在所述隧穿氧化層和所述淺溝槽隔離結構依次形成浮柵層和掩膜層；

刻蝕所述掩膜層和所述浮柵層形成溝槽以及圖案化的浮柵層和圖案化的掩膜層；

以所述圖案化的掩膜層為掩膜向所述溝槽內填充氧化物；

去除所述圖案化的掩膜層；

濕法刻蝕所述圖案化的浮柵層使得圖案化的浮柵層的角成為圓角；

干法刻蝕所述溝槽內的部分所述氧化物；

濕法刻蝕所述溝槽內的剩余的部分所述氧化物。

2.如權利要求1所述的半導體的形成方法，其特征在于，所述半導體的形成方法還包括：在所述浮柵上和所述溝槽內形成ONO層，所述ONO層覆蓋所述浮柵的側壁和所述溝槽內的氧化物的表面。

3.如權利要求2所述的半導體的形成方法，其特征在于，所述半導體的形成方法還包括：在所述ONO層上形成控制柵層，刻蝕所述控制柵層形成控制柵。

4.如權利要求2所述的半導體的形成方法，其特征在于，所述ONO層為氧化硅-氮化硅-氧化硅的組合。

5.如權利要求1所述的半導體的形成方法，其特征在于，所述隧穿氧化層的材料為二氧化硅。

6.如權利要求3所述的半導體的形成方法，其特征在于，所述浮柵層和所述控制柵層的材料為多晶硅。

7.如權利要求1所述的半導體的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的材料為氮化硅。

8.如權利要求1所述的半導體的形成方法，其特征在于，所述圖案化的浮柵層為柱狀結構，多個柱狀結構之間形成有溝槽。

9.如權利要求1所述的半導體的形成方法，其特征在于，所述圖案化的浮柵層的角為直角。