[發(fā)明專利]鋁腐蝕的處理方法及系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911180695.5 | 申請日: | 2019-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN112864034B | 公開(公告)日: | 2023-09-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 任萍萍;竺征 | 申請(專利權(quán))人: | 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;C23F1/20 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務(wù)所 31283 | 代理人: | 薛琦;林嵩 |
| 地址: | 200233 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 腐蝕 處理 方法 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明公開了一種鋁腐蝕的處理方法及系統(tǒng),所述處理方法包括:S1.判斷被處理對象上金屬鋁所在的目標(biāo)表面是否發(fā)生鋁腐蝕,若是,則執(zhí)行步驟S2;S2.將目標(biāo)表面浸入酸性腐蝕液中,使酸性腐蝕液與金屬鋁發(fā)生各向同性反應(yīng),以去除金屬鋁上生成的腐蝕物。本發(fā)明通過圖像比對和/或熒光分析能夠自動、及時(shí)且準(zhǔn)確地確定硅片上金屬鋁所在表面是否發(fā)生鋁腐蝕的情況,即在鋁腐蝕初期就可以發(fā)現(xiàn)腐蝕現(xiàn)象,進(jìn)而將發(fā)生鋁腐蝕的硅片浸入酸性腐蝕液中進(jìn)行腐蝕處理,快速地去除掉鋁和鹵族元素的混合物,即通過簡單有效的濕法處理,防止金屬鋁被進(jìn)一步腐蝕,避免鹵族元素和鋁的繼續(xù)發(fā)生反應(yīng)而持續(xù)惡化,從而有效地保證了產(chǎn)品的可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝處理方法,特別涉及一種鋁腐蝕的處理方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)
鋁是半導(dǎo)體集成電路中常用的互聯(lián)引線金屬材料,在半導(dǎo)體制程的金屬化工藝中鋁是最為常用的金屬材料。其中,Aluminum?Corrosion?(鋁腐蝕)現(xiàn)象,即金屬鋁和F/CL(氟/氯)等鹵族元素發(fā)生反應(yīng)生成含F(xiàn)/CL的腐蝕物是一種常見現(xiàn)象,具體如圖1和圖2所示,其中,A表示硅片,B表示腐蝕物。一旦硅片上發(fā)生鋁腐蝕,如若不及時(shí)準(zhǔn)確處理,F(xiàn)/CL會持續(xù)和鋁發(fā)生反應(yīng),使得腐蝕進(jìn)一步惡化,從而給產(chǎn)品的可靠性帶來嚴(yán)重的影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)鋁腐蝕后鹵族元素會持續(xù)與鋁發(fā)生反應(yīng)從而影響產(chǎn)品可靠性的缺陷,本發(fā)明提供一種鋁腐蝕的處理方法及系統(tǒng)。
本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題:
本發(fā)明提供一種鋁腐蝕的處理方法,所述處理方法包括:
S1.判斷被處理對象上金屬鋁所在的目標(biāo)表面是否發(fā)生鋁腐蝕,若是,則執(zhí)行步驟S2;
S2.將所述目標(biāo)表面浸入酸性腐蝕液中,使所述酸性腐蝕液與所述金屬鋁發(fā)生各向同性反應(yīng),以去除所述金屬鋁上生成的腐蝕物。
較佳地,步驟S2之后還包括:
S3.采用去離子水沖洗所述目標(biāo)表面。
較佳地,步驟S1包括:
S11.采用掃描設(shè)備掃描所述目標(biāo)表面并獲取目標(biāo)圖像;
S12.判斷所述目標(biāo)圖像與樣本圖像是否一致,若是,則確定所述目標(biāo)表面未發(fā)生鋁腐蝕;否則,確定所述目標(biāo)表面發(fā)生鋁腐蝕。
較佳地,步驟S1包括:
S13.采用至少一個(gè)設(shè)定入射角度的光束照向所述目標(biāo)表面并獲取對應(yīng)的反射光束的反射角度;
S14.?判斷所述反射角度是否與所述設(shè)定入射角度相等,若是,則確定所述目標(biāo)表面未發(fā)生鋁腐蝕;否則,確定所述目標(biāo)表面發(fā)生鋁腐蝕;或,
當(dāng)采用多個(gè)所述設(shè)定入射角度的光束照向所述目標(biāo)表面時(shí),步驟S13之后還包括:
S15.獲取所述反射角度相同的所述反射光束的第一數(shù)量;
S16.計(jì)算所述第一數(shù)量與所述設(shè)定入射角度的光束的總數(shù)量的比值;
S17.判斷所述比值是否超過設(shè)定閾值,若超過,則確定所述目標(biāo)表面未發(fā)生鋁腐蝕;否則,確定所述目標(biāo)表面發(fā)生鋁腐蝕。
較佳地,所述腐蝕物為含有鋁和鹵族元素的混合物;
步驟S1包括:
S18.采用熒光分析設(shè)備向所述目標(biāo)表面發(fā)射設(shè)定波長的入射光并獲取對應(yīng)的熒光圖像;
S19.對所述熒光圖像進(jìn)行分析,判斷是否存在鹵族元素,若存在,則確定所述目標(biāo)表面發(fā)生鋁腐蝕;否則,確定所述目標(biāo)表面未發(fā)生鋁腐蝕。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





