[發明專利]鋁腐蝕的處理方法及系統有效
| 申請號: | 201911180695.5 | 申請日: | 2019-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN112864034B | 公開(公告)日: | 2023-09-01 |
| 發明(設計)人: | 任萍萍;竺征 | 申請(專利權)人: | 上海先進半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;C23F1/20 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人: | 薛琦;林嵩 |
| 地址: | 200233 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 腐蝕 處理 方法 系統 | ||
1.一種鋁腐蝕的處理方法,其特征在于,所述處理方法包括:
S1.判斷被處理對象上金屬鋁所在的目標表面是否發生鋁腐蝕,若是,則執行步驟S2;
S2.將所述目標表面浸入酸性腐蝕液中,使所述酸性腐蝕液與所述金屬鋁發生各向同性反應,以去除所述金屬鋁上生成的腐蝕物;
步驟S1包括:
S13.采用至少一個設定入射角度的光束照向所述目標表面并獲取對應的反射光束的反射角度;
S14.?判斷所述反射角度是否與所述設定入射角度相等,若是,則確定所述目標表面未發生鋁腐蝕;否則,確定所述目標表面發生鋁腐蝕;或,
當采用多個所述設定入射角度的光束照向所述目標表面時,步驟S13之后還包括:
S15.獲取所述反射角度相同的所述反射光束的第一數量;
S16.計算所述第一數量與所述設定入射角度的光束的總數量的比值;
S17.判斷所述比值是否超過設定閾值,若超過,則確定所述目標表面未發生鋁腐蝕;否則,確定所述目標表面發生鋁腐蝕。
2.如權利要求1所述的鋁腐蝕的處理方法,其特征在于,步驟S2之后還包括:
S3.采用去離子水沖洗所述目標表面。
3.如權利要求1所述的鋁腐蝕的處理方法,其特征在于,所述酸性腐蝕液的成分包括65%~85%磷酸、5%~15%乙酸、1%~5%硝酸、1%~3%氟硼酸和2%~5%水。
4.如權利要求1所述的鋁腐蝕的處理方法,其特征在于,步驟S2中的化學反應時間為1分鐘~2分鐘,化學反應速率為180?/分鐘~220?/分鐘;和/或,
所述被處理對象包括硅片。
5.一種鋁腐蝕的處理系統,其特征在于,所述處理系統包括判斷模塊和處理模塊;
所述判斷模塊用于判斷被處理對象上金屬鋁所在的目標表面是否發生鋁腐蝕,若是,則調用所述處理模塊;
所述處理模塊用于將所述目標表面浸入酸性腐蝕液中,使所述酸性腐蝕液與所述金屬鋁發生各向同性反應,以去除所述金屬鋁上生成的腐蝕物;
所述判斷模塊包括反射角度獲取單元和第一判斷單元;
所述反射角度獲取單元用于采用至少一個設定入射角度的光束照向所述目標表面并獲取對應的反射光束的反射角度;
所述第一判斷單元用于判斷所述反射角度是否與所述設定入射角度相等,若是,則確定所述目標表面未發生鋁腐蝕;否則,確定所述目標表面發生鋁腐蝕;或,
當采用多個所述設定入射角度的光束照向所述目標表面時,所述判斷模塊包括數量獲取單元、比值計算單元和第二判斷單元;
所述數量獲取單元用于獲取所述反射角度相同的所述反射光束的第一數量;
所述比值計算單元用于計算所述第一數量與所述設定入射角度的光束的總數量的比值;
所述第二判斷單元用于判斷所述比值是否超過設定閾值,若超過,則確定所述目標表面未發生鋁腐蝕;否則,確定所述目標表面發生鋁腐蝕。
6.如權利要求5所述的鋁腐蝕的處理系統,其特征在于,所述處理系統還包括沖洗模塊;
所述沖洗模塊用于采用去離子水沖洗所述目標表面。
7.如權利要求5所述的鋁腐蝕的處理系統,其特征在于,所述酸性腐蝕液的成分包括65%~85%磷酸、5%~15%乙酸、1%~5%硝酸、1%~3%氟硼酸和2%~5%水。
8.如權利要求5所述的鋁腐蝕的處理系統,其特征在于,所述處理模塊中去除所述腐蝕物對應的化學反應時間為1分鐘~2分鐘,化學反應速率為180?/分鐘~220?/分鐘;和/或,
所述被處理對象包括硅片。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





