[發(fā)明專利]柔性面板吸附裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911173166.2
• 申請日: 2019-11-26
• 公開（公告）號: CN111098243A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設計）人: 黃俏
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: B25B11/00
• 分類號: B25B11/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權代理有限公司 44570
• 代理人: 何輝

本發(fā)明涉及顯示技術領域，公開了一種柔性面板吸附裝置。所述柔性面板吸附裝置包括：吸附件，用于吸附柔性面板，且所述吸附件用于吸附所述柔性面板的一側(cè)設置有第一吸附區(qū)，以及圍繞所述第一吸附區(qū)的第二吸附區(qū)；一個或多個第一吸附孔，設置于所述吸附件的一側(cè)并位于所述第一吸附區(qū)內(nèi)；一個或多個第二吸附孔，設置于所述吸附件的一側(cè)并位于所述第二吸附區(qū)內(nèi)；其中，所述第二吸附區(qū)產(chǎn)生的吸附力大于所述第一吸附區(qū)產(chǎn)生的吸附力。本發(fā)明提供的柔性面板吸附裝置改善了所述柔性面板吸附不良的問題，尤其是四周區(qū)域，進而確保后續(xù)制程的準確性。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體涉及一種柔性面板吸附裝置。

背景技術

近年來，柔性面板由于具有質(zhì)量輕、可卷曲、功耗低等優(yōu)點而備受業(yè)界關注。

柔性面板在進行切割、偏貼等制程工藝時，經(jīng)常需要將柔性面板進行吸附，而后進行切割或偏貼等操作。由于柔性基板易發(fā)生變形，在偏貼、切割的過程中會由于基板的翹曲、卷曲，導致吸附不良，主要發(fā)生在四周區(qū)域，進而導致制程不良的現(xiàn)象。譬如偏貼貼合不良，導致膜層剝落，進而造成顯示不良現(xiàn)象；切割深度由于翹曲出現(xiàn)偏差，導致裂片困難，面板報廢。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種柔性面板吸附裝置，所述柔性面板吸附裝置包括：

吸附件，用于吸附柔性面板，且所述吸附件用于吸附所述柔性面板的一側(cè)設置有第一吸附區(qū)，以及圍繞所述第一吸附區(qū)的第二吸附區(qū)；

一個或多個第一吸附孔，設置于所述吸附件的一側(cè)并位于所述第一吸附區(qū)內(nèi)；

一個或多個第二吸附孔，設置于所述吸附件的一側(cè)并位于所述第二吸附區(qū)內(nèi)；

其中，所述第二吸附區(qū)產(chǎn)生的吸附力大于所述第一吸附區(qū)產(chǎn)生的吸附力。

進一步優(yōu)選的，所述第一吸附孔在所述第一吸附區(qū)內(nèi)的設置密度等于所述第二吸附孔在所述第二吸附區(qū)內(nèi)的設置密度，且所述第一吸附孔的吸附力小于所述第二吸附孔的吸附力。

進一步優(yōu)選的，所述第一吸附孔的抽真空強度小于所述第二吸附孔的抽真空強度。

進一步優(yōu)選的，所述第一吸附孔的吸附力等于所述第二吸附孔的吸附力，且所述第一吸附孔在所述第一吸附區(qū)內(nèi)的設置密度小于所述第二吸附孔在所述第二吸附區(qū)內(nèi)的設置密度。

進一步優(yōu)選的，所述第一吸附孔的孔徑等于所述第二吸附孔的孔徑，且所述第一吸附孔的數(shù)量小于所述第二吸附孔的數(shù)量。

進一步優(yōu)選的，所述第一吸附區(qū)內(nèi)設置有呈矩形陣列分布的多個所述第一吸附孔，且所述第二吸附區(qū)內(nèi)設置有圍繞所述第一吸附區(qū)并呈環(huán)形陣列分布的至少一圈所述第二吸附孔。

進一步優(yōu)選的，所述第二吸附孔沿環(huán)繞所述第一吸附區(qū)的方向上為不連續(xù)的孔結(jié)構。

進一步優(yōu)選的，所述第二吸附孔沿環(huán)繞所述第一吸附區(qū)的方向上的孔為矩形結(jié)構。

進一步優(yōu)選的，所述第二吸附區(qū)內(nèi)設置有多圈所述第二吸附孔，且相鄰的兩圈所述第二吸附孔之間的距離小于1cm。

進一步優(yōu)選的，所述柔性面板吸附裝置還包括氣壓控制機構，所述氣壓控制機構設置于所述柔性面板吸附裝置內(nèi)部，并與所述吸附件相連通，用于向所述第一吸附孔以及所述第二吸附孔提供吸附力。

有益效果：本發(fā)明提供的柔性面板吸附裝置中的所述吸附件，在用于吸附所述柔性面板的一側(cè)設置有第一吸附區(qū)，以及圍繞所述第一吸附區(qū)的第二吸附區(qū)，所述第二吸附區(qū)產(chǎn)生的吸附力大于所述第一吸附區(qū)產(chǎn)生的吸附力，從而改善所述柔性面板吸附不良的現(xiàn)象，尤其是四周區(qū)域，進而確保后續(xù)制程的準確性。

附圖說明