[發明專利]干式晶圓回收設備在審
| 申請號: | 201911171572.5 | 申請日: | 2019-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN112735973A | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發明(設計)人: | 鄭進男 | 申請(專利權)人: | 雷立光國際股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100 | 代理人: | 朱麗華 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 干式晶圓 回收 設備 | ||
1.一種干式晶圓回收設備,其特征在于,包括:
一平臺,用于承載一晶圓,所述晶圓的一表面上存在有附著物;
一發射器,發出一復原光束用于打在所述附著物上;
一驅動機構,驅動所述平臺與所述發射器的兩者或一者,以使所述晶圓與所述發射器產生相對運動,使得所述復原光束掃描所述附著物并將所述附著物移離所述晶圓,以復原所述晶圓的所述表面;以及
一控制器,電連接至所述發射器及所述驅動機構,并控制所述復原光束的工作參數及所述相對運動。
2.根據權利要求1所述的干式晶圓回收設備,其特征在于,所述晶圓的材料為選自于鍺、硅、硒、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦、砷化銦(InAs)、銦鎵砷(InGaAs)所組成的群組。
3.根據權利要求1所述的干式晶圓回收設備,其特征在于,所述復原光束具有一中間區段及一周邊區段,所述中間區段具有截頭的強度分布,所述周邊區段位于所述中間區段的周邊,并且具有向外遞減的強度分布,所述中間區段的一部分或全部打在所述附著物上,所述中間區段的復原光束強度大致上低于破壞所述晶圓的臨界損壞強度,而高于剝離所述附著物的臨界剝離強度。
4.根據權利要求1所述的干式晶圓回收設備,其特征在于,所述復原光束包括一高頻區段及一低頻區段,所述高頻區段的頻率高于所述低頻區段的頻率,且所述高頻區段的功率低于所述低頻區段的功率。
5.根據權利要求1所述的干式晶圓回收設備,其特征在于,所述干式晶圓回收設備還包括一攝影機,電連接至所述控制器,所述攝影機拍攝所述晶圓而產生一圖像信號,所述控制器依據所述圖像信號控制所述相對運動。
6.根據權利要求5所述的干式晶圓回收設備,其特征在于,所述控制器更依據所述圖像信號控制所述復原光束的所述工作參數的一部分或全部。
7.根據權利要求5所述的干式晶圓回收設備,其特征在于,所述干式晶圓回收設備還包括一數據庫,電連接至所述控制器,所述控制器依據所述圖像信號及對應于所述圖像信號的所述數據庫中的晶圓資料數據來控制所述相對運動。
8.根據權利要求1所述的干式晶圓回收設備,其特征在于,所述控制器依據一使用者輸入所述晶圓的坐標位置及種類,決定所述工作參數及所述相對運動,以控制所述發射器對所述晶圓進行表面復原。
9.根據權利要求1所述的干式晶圓回收設備,其特征在于,所述干式晶圓回收設備還包括一數據庫,電連接至所述控制器,所述控制器依據所述數據庫的晶圓資料數據決定所述工作參數及所述相對運動,以控制所述發射器對所述晶圓進行表面復原。
10.根據權利要求1所述的干式晶圓回收設備,其特征在于,所述發射器具有一發射頭及一控制模塊,所述控制模塊電連接至所述發射頭,控制所述發射頭的運作。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





