[發明專利]熱處理方法及熱處理裝置在審
| 申請號: | 201911167490.3 | 申請日: | 2019-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN111383951A | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發明(設計)人: | 野崎仁秀;上野智宏 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 陳甜甜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 方法 裝置 | ||
1.一種熱處理方法,其特征在于:是通過對襯底照射閃光而將該襯底加熱的熱處理方法,且具備:
反射率測定制程,測定成為處理對象的襯底的反射率;
反射率推算制程,根據通過所述反射率測定制程測定所得的實測反射率,推算所述襯底的理論反射率;以及
特定制程,基于通過所述反射率推算制程所推算出的理論反射率,特定出形成在所述襯底表面的薄膜的膜種類及膜厚。
2.根據權利要求1所述的熱處理方法,其特征在于:還具備相關關系獲取制程,所述相關關系獲取制程是求出已知理論反射率的基準襯底的實測反射率與該理論反射率的相關系數,
在所述反射率推算制程中,基于通過所述反射率測定制程測定所得的實測反射率及所述相關系數,推算所述襯底的理論反射率。
3.根據權利要求1所述的熱處理方法,其特征在于:還具備數據庫制作制程,所述數據庫制作制程是制作將推算關于形成有多種膜種類及膜厚的薄膜的襯底的理論反射率所獲得的多個理論反射率與膜種類及膜厚建立關聯地登錄所得的數據庫,
在所述特定制程中,對所述數據庫進行通過所述反射率推算制程所推算出的理論反射率的圖案匹配,而特定出形成在所述襯底表面的薄膜的膜種類及膜厚。
4.根據權利要求3所述的熱處理方法,其特征在于:在形成有圖案的所述襯底的表面,視為形成有相當于通過所述特定制程所特定出的膜種類及膜厚的特性的薄膜。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的熱處理方法,其特征在于:還具備條件決定制程,所述條件決定制程是基于通過所述特定制程所特定出的膜種類及膜厚,決定對于所述襯底的處理條件。
6.一種熱處理裝置,其特征在于:是通過對襯底照射閃光而將該襯底加熱的熱處理裝置,且具備:
腔室,收容成為處理對象的襯底;
閃光燈,對收容在所述腔室內的所述襯底照射閃光;
反射率測定部,測定所述襯底的反射率;
反射率推算部,根據通過所述反射率測定部測定所得的實測反射率,推算所述襯底的理論反射率;以及
特定部,基于通過所述反射率推算部所推算出的理論反射率,特定出形成在所述襯底表面的薄膜的膜種類及膜厚。
7.根據權利要求6所述的熱處理裝置,其特征在于:還具備相關關系獲取部,所述相關關系獲取部求出已知理論反射率的基準襯底的實測反射率與該理論反射率的相關系數,
所述反射率推算部基于通過所述反射率測定部測定所得的實測反射率及所述相關系數,推算所述襯底的理論反射率。
8.根據權利要求6所述的熱處理裝置,其特征在于:還具備存儲部,所述存儲部保存將推算關于形成有多種膜種類及膜厚的薄膜的襯底的理論反射率所獲得的多個理論反射率與膜種類及膜厚建立關聯地登錄所得的數據庫,
所述特定部對所述數據庫進行通過所述反射率推算部所推算出的理論反射率的圖案匹配,而特定出形成在所述襯底表面的薄膜的膜種類及膜厚。
9.根據權利要求8所述的熱處理裝置,其特征在于:在形成有圖案的所述襯底的表面,視為形成有相當于通過所述特定部所特定出的膜種類及膜厚的特性的薄膜。
10.根據權利要求6至9中任一項所述的熱處理裝置,其特征在于:還具備條件決定部,所述條件決定部基于通過所述特定部所特定出的膜種類及膜厚,決定對于所述襯底的處理條件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





