[發明專利]形成環繞柵極場效應晶體管的方法在審
| 申請號： | 201911166166.X | 申請日： | 2019-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN111243957A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 馬庫斯瓊斯亨利庫斯·范達爾;堤姆斯·文森;荷爾本·朵爾伯斯 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/423;H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 環繞 柵極 場效應 晶體管 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種形成環繞柵極場效應晶體管的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
在一基板上方形成一垂直層堆疊，該垂直層堆疊包括以交替方式堆疊的多個半導體條及多個緩沖層；
在該垂直層堆疊上形成一第一犧牲柵極結構；
在該第一犧牲柵極結構及該垂直層堆疊上形成一介電層；
通過移除該第一犧牲柵極結構暴露該垂直層堆疊的一第一通道部分；
通過從該第一通道部分移除所述多個緩沖層中至少部分，來釋放該第一通道部分中的所述多個第一半導體條的一第一子組；
鄰近被釋放的該第一子組中的所述多個半導體條形成一第一替換柵極結構；
形成鄰近該第一替換柵極結構的一介電體，該介電體截斷該第一子組的所述多個半導體條的每一個；以及
形成鄰近該第一替換柵極結構的一源極/漏極結構。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
