[發明專利]基板處理裝置和用于偏心檢查的裝置及方法有效
| 申請號: | 201911164061.0 | 申請日: | 2019-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN111223796B | 公開(公告)日: | 2023-10-27 |
| 發明(設計)人: | 權五烈;樸修永;李志玹;秋永浩 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 王麗 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 用于 偏心 檢查 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,包括:
處理腔室,所述處理腔室在內部具有處理空間;
支撐單元,所述支撐單元被配置成在所述處理空間中支撐基板并使所述基板圍繞旋轉卡盤的支撐軸旋轉;和
偏心檢查設備,所述偏心檢查設備被配置成檢查所述支撐軸的偏心,
其中,所述偏心檢查設備包括:
圖像獲取單元,所述圖像獲取單元被配置成獲得在所述支撐單元上所支撐的所述基板的圖像;和
偏心測量單元,所述偏心測量單元被配置成從所述基板的所述圖像獲得所述基板的邊緣數據并基于所述邊緣數據測量所述支撐軸的偏心量。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,所述偏心測量單元包括:
方程建模單元,所述方程建模單元被配置成:在所述支撐軸未偏心放置的狀態下接收針對所述基板獲得的第一圖像,從所述第一圖像獲得所述基板的第一邊緣數據,并且基于所述第一邊緣數據對用于測量所述支撐軸的所述偏心量的估算方程進行建模,其中,所述基板被支撐在所述支撐單元上;和
偏心計算單元,所述偏心計算單元被配置成:在工藝過程中接收針對所述基板獲得的第二圖像,從所述第二圖像獲得所述基板的第二邊緣數據,并且通過將所述第二邊緣數據與所述估算方程相比較來測量所述支撐軸的所述偏心量,其中,所述基板被支撐在所述支撐單元上。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其中,所述偏心測量單元還包括:
偏心確定單元,所述偏心確定單元被配置成通過將所述支撐軸的所述偏心量與設定的參考值相比較來確定所述偏心;和
警告生成單元,所述警告生成單元被配置成在發生所述偏心時生成警告。
4.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其中,所述方程建模單元包括:
感興趣區域(ROI)設置單元,所述感興趣區域(ROI)設置單元被配置成在所述第一圖像中設置包括所述基板的邊緣部的感興趣區域(ROI);
第一邊緣檢測單元,所述第一邊緣檢測單元被配置成在所述第一圖像的所述感興趣區域(ROI)中檢測所述基板的邊緣以獲得所述第一邊緣數據;和
方程估算單元,所述方程估算單元被配置成基于在所述第一邊緣數據中包括的至少三個點數據計算所述估算方程。
5.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其中,所述感興趣區域(ROI)包括在所述第一圖像中的所述基板的左上邊緣區域或右上邊緣區域。
6.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其中,所述方程估算單元包括:
點數據獲取單元,所述點數據獲取單元被配置成從所述第一邊緣數據獲得三個點數據;
二次方程估算單元,所述二次方程估算單元被配置成基于所述三個點數據估算二次方程;
方程驗證單元,所述方程驗證單元被配置成通過計算所述二次方程與所述第一邊緣數據之間的誤差來驗證所述二次方程;和
估算方程確定單元,所述估算方程確定單元被配置成將在通過改變所述三個點數據所獲得的二次方程之中具有最小誤差的二次方程確定為所述估算方程。
7.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其中,所述偏心計算單元包括:
第二邊緣檢測單元,所述第二邊緣檢測單元被配置成在所述第二圖像的感興趣區域(ROI)中檢測所述基板的邊緣;
邊緣數據獲取單元,所述邊緣數據獲取單元被配置成從在所述第二圖像的所述感興趣區域(ROI)中檢測到的所述基板的所述邊緣獲得所述第二邊緣數據;和
偏心量計算單元,所述偏心量計算單元被配置成基于所述第二邊緣數據與所述估算方程之間的差值計算所述支撐軸的所述偏心量。
8.根據權利要求1所述的基板處理裝置,還包括:
照明單元,所述照明單元被配置成向所述支撐單元上所支撐的所述基板供應光,
其中,所述照明單元包括多個透鏡型燈具,所述多個透鏡型燈具被配置成沿不同方向朝向所述基板的不同邊緣區域供應所述光,并且
其中,在被所述透鏡型燈具照射的所述基板的所述邊緣區域之中的相鄰區域間具有重疊區。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





