[發明專利]一種導電薄膜的制備方法與應用

在審

• 申請號: 201911159223.1
• 申請日: 2019-11-22
• 公開（公告）號: CN112837847A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 郭凱;趙劍;張傳升;韓青樹
• 申請（專利權）人: 重慶神華薄膜太陽能科技有限公司;中國節能減排有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;康志梅

一種導電薄膜及其的制作方法，所述導電薄膜包括基底與納米銀線，所述基底與納米銀線通過熔融后的納米銀顆粒粘結。本發明所提供的導電薄膜及其制備方法在納米銀線與基底之間添加納米銀顆粒層，利用不同粒徑納米銀顆粒的熔點不同，納米銀線尺寸較大，熔點較高，納米銀顆粒尺寸較小，熔點較低，以高于納米銀顆粒熔點并低于納米銀線熔點的溫度燒結，使納米銀顆粒融化，一端與基底粘附，另一端與納米銀線粘附，可以解決目前納米銀線工藝中粘接力差的問題。

技術領域

本發明屬于導電材料領域，具體涉及一種導電薄膜的制備方法與應用。

背景技術

目前的觸控面板都是采用ITO作為觸控電極，ITO是優良的透明導電材料，在已有的透明導電薄膜中電阻率低，透過率高，但是隨著觸控面板尺寸不斷增大，ITO的缺陷變得不容忽視，ITO作為一種半導體材料面電阻相對金屬仍然較高，無法滿足大面積觸控面板的要求。

此外，ITO的抗彎折性較差，不適用于制作柔性器件。所以納米銀線作為觸控面板電極的技術開始興起，納米銀線具有良好的光學、電學和力學性能，有望成為下一代觸控面板的主流技術。現在納米銀線的一個重要問題是由于其與基底的接觸面積較小，導致納米銀線與基底的粘附性較差，進而導致靈敏度變差。

發明內容

為解決現有技術存在的問題，本發明第一方面提供了一種納米銀線導電薄膜，所述導電薄膜的基底與納米銀線通過納米銀顆粒粘結，很好的解決了目前納米銀線工藝中粘接力差的問題。

本法明第二方面提供了上述導電薄膜的制備方法。

本發明第二方面提供了上述導電薄膜在觸控面板電極中的應用。

根據本發明的第一方面，所述導電薄膜包括基底與納米銀線，所述基底與納米銀線通過熔融后的納米銀顆粒粘結。

根據本發明的一些實施方式，所述導電薄膜不含感光性粘著劑、熱固性粘著劑和高分子基導電粘著劑。

根據本發明的一些實施方式，所述基底選自剛性基材和柔性基材的一種或多種。

根據本發明的一些實施方式，所述基底選自玻璃、藍寶石、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯、亞克力、聚氨酯和聚四氟乙烯中的一種或多種。

根據本發明的一些實施方式，所述納米銀線的直徑為40-110nm，例如40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm、80nm、85nm、90nm、95nm、100nm、105nm、110nm以及它們之間的任意值。

在本發明的一些優選實施方式中，所述納米銀線的直徑為45-60nm。

根據本發明的一些實施方式，所述納米銀線的長度為10-130um，例如10um、15um、20um、25um、30um、35um、40um、45um、50um、55um、60um、65um、70um、75um、80um、85um、90um、95um、100um、105um、110um、115um、120um、125um、130um以及它們之間的任意值。

在本發明的一些優選實施方式中，所述納米銀線的長度為15-35um。

根據本發明的一些實施方式，所述納米銀顆粒的平均粒徑為10-40nm，例如10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm以及它們之間的任意值

根據本發明的一些實施方式，所述納米銀顆粒的平均粒徑為15-25nm。

根據本發明的一些實施方式，所述納米銀線的熔點為200-300℃，例如300℃、210℃、220℃、230℃、240℃、250℃、260℃、270℃、280℃、290℃、300℃以及它們之間的任意值。