[發明專利]一種氣密封裝器件及氣密封裝方法在審
| 申請號: | 201911155010.1 | 申請日: | 2019-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN111029310A | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發明(設計)人: | 趙瑞華;李仕俊;徐達;常青松;史光華;張延青;許景通;馮越江;徐永祥;謝永康;郝金中 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/367;H01L23/48;H01L25/18 |
| 代理公司: | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人: | 秦敏華 |
| 地址: | 050051 *** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氣密 封裝 器件 方法 | ||
本發明公開了一種氣密封裝器件及氣密封裝方法,氣密封裝器件包括:封裝外殼,采用陶瓷基板作為封裝底板,陶瓷基板設有貫穿陶瓷基板的上表面和下表面的第一通孔,陶瓷基板的第一通孔內部填充金屬,第一通孔內的金屬記為第一金屬柱;至少兩個第一芯片,安裝在所述封裝外殼的內部、且設置在所述陶瓷基板上,第一芯片的焊盤通過鍵合線與陶瓷基板上的第一金屬柱連接;隔離墻,設置在封裝外殼內將封裝外殼分成不同的氣密腔,需要隔離的第一芯片設置在不同的氣密腔中。本發明通過在封裝外殼內設置隔離墻,隔離墻將需要隔離的芯片隔離,是芯片之間互不干擾,提高了氣密封裝器件的隔離度,進而提升了氣密封裝器件的性能。
技術領域
本發明涉及芯片封裝技術領域,尤其涉及一種氣密封裝器件及氣密封裝方法。
背景技術
從幾百兆的蜂窩通訊網絡,到現行4G通信和馬上普及的工作頻率在幾十吉赫茲的5G通信,再到THz領域,射頻微波電路的工作頻段越來越高。相應的芯片封裝雖然多次迭代升級,但是仍有許多不足。
隨著芯片功能集成度提升、器件尺寸的縮小,芯片、芯片轉接板和外殼的一體化設計越發關鍵,為了滿足封裝要求和提高封裝的集成度,一個氣密封裝結構中會封裝多個芯片,芯片與芯片之間會發生干擾,氣密封裝器件的隔離度不高,造成芯片的使用不方便,不能充分發揮芯片的特性。
發明內容
本發明實施例提供了一種氣密封裝器件及氣密封裝方法,旨在解決目前氣密封裝器件的隔離度不高的問題。
本發明實施例的第一方面提供了一種氣密封裝器件,包括:
封裝外殼,采用陶瓷基板作為封裝底板,所述陶瓷基板設有貫穿所述陶瓷基板的上表面和所述陶瓷基板的下表面的第一通孔,所述陶瓷基板的第一通孔內部填充金屬,所述第一通孔內的金屬記為第一金屬柱;
至少兩個第一芯片,安裝在所述封裝外殼的內部、且設置在所述陶瓷基板上,所述第一芯片的焊盤通過鍵合線與所述陶瓷基板上的第一金屬柱連接;
隔離墻,設置在所述封裝外殼內將所述封裝外殼分成不同的氣密腔,需要隔離的第一芯片設置在不同的氣密腔中。
在本申請的實施例中,所述封裝外殼還包括:
金屬圍框,設置在所述陶瓷基板上用于設置金屬圍框的位置;
蓋板,焊接在所述金屬圍框和所述隔離墻上。
在本申請的實施例中,所述封裝外殼還包括:
正面介質層,通過熱壓的方式設置在所述陶瓷基板的上表面;所述正面介質層設有貫穿所述正面介質層的上表面和所述正面介質層的下表面的第二通孔和第三通孔,所述第二通孔內部填充金屬,所述第二通孔內的金屬記為第二金屬柱,所述正面介質層的上表面設有第二芯片,所述第二芯片的焊盤通過鍵合線與至少一個第二金屬柱連接,所述第二金屬柱和所述第一金屬柱連接;
相應的,第一芯片設置在第三通孔內,且第一芯片安裝在所述陶瓷基板的上表面,且第一芯片的焊盤通過鍵合線與第二金屬柱相連;
相應的,隔離墻,設置在所述封裝外殼內,且在所述正面介質層上,將所述封裝外殼分成不同的氣密腔,需要隔離的第一芯片和第二芯片設置在不同的氣密腔中;
相應的,金屬圍框,設置在所述正面介質層上用于設置金屬圍框的位置。
在本申請的實施例中,所述氣密封裝器件還包括:
第一正面種子層,設置在所述陶瓷基板和所述正面介質層之間、且位于所述陶瓷基板上的第一預設區域和所述第一通孔的內側壁,所述第一預設區域的第一正面種子層用于設置第一芯片,其中,填充的金屬通過所述第一正面種子層與所述第一通孔連接;
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