[發(fā)明專(zhuān)利]一種小型化超寬帶功率放大模塊在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911147912.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-11-21 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110708027A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-01-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 顧漢清;蘇力晟;潘強(qiáng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 浙江嘉科電子有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H03F3/20 | 分類(lèi)號(hào)： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 33233 浙江永鼎律師事務(wù)所 | 代理人： | 陸永強(qiáng);張建 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉興*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 小信號(hào)放大器 功率放大器 超寬帶 功率放大模塊 導(dǎo)熱性能 放大模塊 級(jí)聯(lián)連接 接地性能 饋電電路 散熱基板 鍍銀銅 焊錫 減小 焊接 匹配 | ||
本發(fā)明提供了一種小型化超寬帶功率放大模塊，包括依次級(jí)聯(lián)連接的小信號(hào)放大器、GaAs功率放大器和GaN HEMT功率放大器，且小信號(hào)放大器、GaAs功率放大器和GaN HEMT功率放大器均安裝于同一PCB板上。本發(fā)明將小信號(hào)放大器、GaAs功率放大器集成在一塊PCB板上，且皆為50歐姆內(nèi)匹配，饋電電路簡(jiǎn)單，有利于減小整體尺寸，PCB板通過(guò)焊錫與鍍銀銅散熱基板焊接在一起，增加了接地性能和導(dǎo)熱性能，提高整個(gè)500MHz至2700MHz超寬帶功率50W放大模塊的可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于功率放大器技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種小型化超寬帶功率放大模塊。
背景技術(shù)
功放模塊是電子信息技術(shù)中非常常用的器件，主要應(yīng)用在一些需要進(jìn)行超寬帶信號(hào)功率放大的場(chǎng)合，典型應(yīng)用在信號(hào)發(fā)射領(lǐng)域的一些產(chǎn)品上。其性能影響到儀器設(shè)備的性能優(yōu)劣和運(yùn)行可靠性，在電子通信中具有非常重要的作用。但是現(xiàn)有技術(shù)的功放模塊存在有體積大、效率低、可靠性低的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)上述問(wèn)題，提供一種小型化超寬帶功率放大模塊。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用了下列技術(shù)方案：
一種小型化超寬帶功率放大模塊，包括依次級(jí)聯(lián)連接的小信號(hào)放大器、GaAs功率放大器和GaN HEMT功率放大器，且小信號(hào)放大器、GaAs功率放大器和GaN HEMT功率放大器均安裝于同一PCB板上。
在上述的小型化超寬帶功率放大模塊中，小信號(hào)功率放大器為輸入輸出50歐姆內(nèi)匹配,用于對(duì)500MHz至2700MHz頻段內(nèi)所有頻率信號(hào)進(jìn)行放大。
在上述的小型化超寬帶功率放大模塊中，所述GaAs功率放大器為輸入輸出50歐姆內(nèi)匹配，用于對(duì)500MHz至2700MHz頻段內(nèi)所有頻率信號(hào)進(jìn)行放大。
在上述的小型化超寬帶功率放大模塊中，所述GaN HEMT功率放大器用于對(duì)500MHz至2700MHz頻段內(nèi)所有頻率信號(hào)進(jìn)行放大。
在上述的小型化超寬帶功率放大模塊中，所述GaN HEMT功率放大器通過(guò)負(fù)載牽引將輸入輸出阻抗在500MHz至2700MHz頻段內(nèi)匹配到50歐姆。
在上述的小型化超寬帶功率放大模塊中，所述PCB板上通過(guò)焊錫固定有散熱基板。
在上述的小型化超寬帶功率放大模塊中，所述PCB板上開(kāi)設(shè)有開(kāi)槽，所述GaN HEMT功率放大器安裝在所述開(kāi)槽內(nèi)且通過(guò)焊錫固定在所述散熱基板上。
在上述的小型化超寬帶功率放大模塊中，所述散熱基板為鍍銀銅塊。
在上述的小型化超寬帶功率放大模塊中，所述PCB板的板材型號(hào)為RO4350B。
在上述的小型化超寬帶功率放大模塊中，所述PCB板厚度為10-30mi l。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：小信號(hào)放大器、GaAs功率放大器皆為50歐姆內(nèi)匹配，饋電電路簡(jiǎn)單，有利于減小整體尺寸；GaN HEMT功率放大器在500至2700MHz頻段內(nèi)通過(guò)負(fù)載牽引進(jìn)行輸入輸出匹配，增加了放大器的可靠性；PCB板通過(guò)焊錫與鍍銀銅散熱基板焊接在一起，增加了接地性能和導(dǎo)熱性能，提高整個(gè)500MHz至2700MHz超寬帶功率50W放大模塊的可靠性。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明小型化超寬帶功率放大模塊的原理框圖；
圖2是本發(fā)明小型化超寬帶功率放大模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3是本發(fā)明小型化超寬帶功率放大模塊中GaN HEMT功率放大器的安裝示意圖。
附圖標(biāo)記：小信號(hào)放大器1；GaAs功率放大器2；GaN HEMT功率放大器3；PCB板4；散熱基板5。
具體實(shí)施方式
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