[發明專利]一種小型化超寬帶功率放大模塊在審
| 申請號： | 201911147912.0 | 申請日： | 2019-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN110708027A | 公開（公告）日： | 2020-01-17 |
| 發明（設計）人： | 顧漢清;蘇力晟;潘強 | 申請（專利權）人： | 浙江嘉科電子有限公司 |
| 主分類號： | H03F3/20 | 分類號： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 33233 浙江永鼎律師事務所 | 代理人： | 陸永強;張建 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉興*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 小信號放大器 功率放大器 超寬帶 功率放大模塊 導熱性能 放大模塊 級聯連接 接地性能 饋電電路 散熱基板 鍍銀銅 焊錫 減小 焊接 匹配 | ||
1.一種小型化超寬帶功率放大模塊，其特征在于，包括依次級聯連接的小信號放大器(1)、GaAs功率放大器(2)和GaN HEMT功率放大器(3)，且小信號放大器(1)、GaAs功率放大器(2)和GaN HEMT功率放大器(3)均安裝于同一PCB板(4)上。
2.根據權利要求1所述的小型化超寬帶功率放大模塊，其特征在于，小信號功率放大器(1)為輸入輸出50歐姆內匹配,用于對500MHz至2700MHz頻段內所有頻率信號進行放大。
3.根據權利要求1所述的小型化超寬帶功率放大模塊，其特征在于，所述GaAs功率放大器(2)為輸入輸出50歐姆內匹配，用于對500MHz至2700MHz頻段內所有頻率信號進行放大。
4.根據權利要求1所述的小型化超寬帶功率放大模塊，其特征在于，所述GaN HEMT功率放大器(3)用于對500MHz至2700MHz頻段內所有頻率信號進行放大。
5.根據權利要求4所述的小型化超寬帶功率放大模塊，其特征在于，所述GaN HEMT功率放大器(3)通過負載牽引將輸入輸出阻抗在500MHz至2700MHz頻段內匹配到50歐姆。
6.根據權利要求1所述的小型化超寬帶功率放大模塊，其特征在于，所述PCB板(4)上通過焊錫固定有散熱基板(5)。
7.根據權利要求6所述的小型化超寬帶功率放大模塊，其特征在于，所述PCB板(4)上開設有開槽，所述GaN HEMT功率放大器(3)安裝在所述開槽內且通過焊錫固定在所述散熱基板(5)上。
8.根據權利要求7所述的小型化超寬帶功率放大模塊，其特征在于，所述散熱基板(5)為鍍銀銅塊。
9.根據權利要求1所述的小型化超寬帶功率放大模塊，其特征在于，所述PCB板(4)的板材型號為RO4350B。
10.根據權利要求9所述的小型化超寬帶功率放大模塊，其特征在于，所述PCB板(4)厚度為10-30mil。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江嘉科電子有限公司，未經浙江嘉科電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911147912.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：改進效率的包絡跟蹤調制器的線性放大器
- 下一篇：一種數字音頻功率放大器
