[發明專利]靜電防護裝置及方法在審
| 申請號: | 201911138918.1 | 申請日: | 2019-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN110970419A | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發明(設計)人: | 龍蜚聲 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 防護 裝置 方法 | ||
本發明公開一種靜電防護裝置及方法,所述靜電防護裝置包括:一驅動芯片;一主控芯片,與所述驅動芯片電性連接;所述主控芯片包括一初始代碼發送模塊,所述初始代碼發送模塊用于發送一初始代碼至所述驅動芯片;所述驅動芯片根據所述初始代碼將所述靜電防護數值信息重置為所述初始靜電防護數值信息。當顯示面板受到ESD干擾導致畫面異常時,驅動芯片中的寄存器數值,主控芯片中的檢測模塊每隔一預設時間檢測一次寄存器中的數值,當檢測到寄存器中數值發生改變時,主控芯片可快速對寄存器中的數值進行復位,使得畫面恢復正常,確保用戶察覺不到異常畫面的出現。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種靜電防護裝置及方法。
背景技術
ESD(Electro-Static Discharge,靜電釋放)事件是具有有限能量的高電勢,其通過使電流流過柵氧化物造成氧化物弱化,或者通過達到足夠的電勢來使氧化物破裂,造成與另一器件端子的柵短路(低電阻通路),以損壞場效應晶體管(FET)的柵氧化物。ESD事件可以通過人體或機械諸如晶片切割器引起。
ESD保護電路由正導通電壓鉗(clamp)和負導通電壓鉗組成。正導通電壓鉗應該考慮信號的電壓擺動。保護電路必須被設計為使預設電壓下的ESD電流降低。在大多數的ESD保護電路中,雖然正導通電壓鉗的設計需要很大注意,但是負導通電壓鉗只被設計為在器件擊穿之前降低在任何電壓下的ESD電流。典型地,負導通電壓鉗簡單地使用了正向二極管(forward diode)。
當液晶顯示面板受到外部較強ESD靜電(如16KV)時,可能會使驅動芯片受到干擾,導致驅動芯片內部相關寄存器數值出現錯亂,造成畫面顯示異常。通常要通過硬件手動關機后再上電復位,使驅動芯片內部的寄存器恢復正確數值。
當驅動芯片內部的寄存器數值異常時,驅動芯片無法通過軟件及時回讀到ESD設定寄存器異常,無法使驅動芯片自動糾正其寄存器數值,在硬件不斷電的情況下,無法做復位動作,造成異常畫面持續顯示。
發明內容
為了解決上述問題,本發明實施例提供了一種靜電防護裝置及方法,能夠有效解決在硬件不斷電的情況下無法做復位動作所造成異常畫面持續顯示的問題。
根據本發明的一方面,本發明實施例提供了一種靜電防護裝置,包括:一驅動芯片;一主控芯片,與所述驅動芯片電性連接;所述主控芯片包括一初始代碼發送模塊,所述初始代碼發送模塊用于發送一初始代碼至所述驅動芯片;所述驅動芯片根據所述初始代碼將所述驅動芯片中的一當前靜電防護數值信息重置為一初始靜電防護數值信息。
進一步地,所述主控芯片還包括一檢測模塊,與所述初始代碼發送模塊電性連接;所述檢測模塊用于判斷所述當前靜電防護數值信息與初始靜電防護數值信息是否一致。
進一步地,所述主控芯片還包括一定時器,所述定時器與所述檢測模塊電性連接;所述定時器用于設置一預設時間,并且每隔所述預設時間發送一檢測信號至所述檢測模塊。
進一步地,所述預設時間為0.5秒至2秒。
進一步地,所述驅動芯片還包括一寄存器,所述寄存器用于存儲所述當前靜電防護數值信息。
根據本發明的另一方面,本發明實施例還提供了一種靜電防護方法,包括以下步驟:一主控芯片獲取一驅動芯片中的一當前靜電防護數值信息;所述主控芯片判斷所述當前靜電防護數值信息與初始靜電防護數值信息是否一致;當所述主控芯片判斷出所述當前靜電防護數值信息與所述初始靜電防護數值信息為不一致時,則所述主控芯片發送一初始代碼至所述驅動芯片;以及所述驅動芯片根據所述初始代碼將當前靜電防護數值信息重置為所述初始靜電防護數值信息。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





