[發明專利]應變薄膜異質結、制備方法及應用有效
| 申請號： | 201911131880.5 | 申請日： | 2019-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN110804727B | 公開（公告）日： | 2020-09-29 |
| 發明（設計）人： | 汪淵;孫森;向鋼;王煥明 | 申請（專利權）人： | 四川大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/58;H01L29/165 |
| 代理公司： | 成都頂峰專利事務所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 楊國瑞 |
| 地址： | 610000 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 應變 薄膜 異質結 制備 方法 應用 | ||
1.一種應變薄膜異質結的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1：在多靶共濺磁控濺射真空室中分別裝入高純硅靶、高純鍺靶、高純硼靶以及高純本征單晶鍺襯底，關閉倉門并抽真空至10-5Pa；
步驟S2：將高純本征單晶鍺襯底加熱至250℃，并保持一小時；
步驟S3：預濺射硅靶、鍺靶以及硼靶各20min，濺射功率為50W，濺射時通入惰性氣體，惰性氣體的氣壓為0.5～1Pa；
步驟S4：結束預濺射，開始濺射鍺靶并沉積鍺過渡層，濺射功率為30W，濺射時間為2min，濺射時通入惰性氣體，惰性氣體的氣壓為0.3Pa；
步驟S5：共濺射沉積硼原子百分比含量為3％的Si0.25Ge0.75層，濺射功率為硅靶30W、鍺靶30W、硼靶70W，濺射時間為20min，濺射時通入惰性氣體，惰性氣體的氣壓為0.3Pa；
步驟S6：結束濺射，鍺襯底繼續保持250℃溫度一小時后，結束鍺襯底加熱，待多靶共濺磁控濺射真空室冷卻到室溫，得到沉積態的Si0.25Ge0.75/Ge薄膜異質結；
步驟S7：將得到的所述薄膜異質結進行退火，得到Si0.25Ge0.75/Ge應變薄膜異質結。
2.根據權利要求1所述的一種應變薄膜異質結的制備方法，其特征在于，步驟S4中的所述鍺過渡層的厚度為10～20nm。
3.根據權利要求1所述的一種應變薄膜異質結的制備方法，其特征在于，在步驟S5中所述Si0.25Ge0.75層的厚度為200nm，所述Si0.25Ge0.75層呈非晶相。
4.根據權利要求1所述的一種應變薄膜異質結的制備方法，其特征在于，步驟S7中退火的具體方法為：所述薄膜異質結在30s內迅速升溫至650～800℃，并恒溫保持1min，隨后自然冷卻至室溫。
5.一種如權利要求1～4任一項所述的制備方法得到的應變薄膜異質結。
6.一種如權利要求5所述的應變薄膜異質結在四族半導體材料中的應用。
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