[發(fā)明專利]全頻段太赫茲四倍頻模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911125718.2
• 申請(qǐng)日: 2019-11-18
• 公開（公告）號(hào): CN110932672B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊非;崔鐵軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號(hào): H03B19/14
• 分類號(hào): H03B19/14
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 許方

1.一種全頻段太赫茲四倍頻模塊，其特征在于，包括金屬上基座(1)、金屬下基座(2)、第一匹配波導(dǎo)(3)、芯片通道(4)、第二匹配波導(dǎo)(5)和太赫茲全頻段倍頻芯片(7)；

所述金屬上基座(1)和金屬下基座(2)形成腔體，所述第一匹配波導(dǎo)(3)設(shè)置在所述腔體內(nèi)的輸入端，所述第二匹配波導(dǎo)(5)設(shè)置在所述腔體內(nèi)的輸出端；所述芯片通道(4)設(shè)置在所述腔體的輸入端和輸出端之間，所述芯片通道(4)內(nèi)設(shè)置太赫茲全頻段倍頻芯片(7)；所述太赫茲全頻段倍頻芯(7)安裝在金屬上基座(1)上，所述太赫茲全頻段倍頻芯片(7)分別與第一匹配波導(dǎo)(3)和第二匹配波導(dǎo)(5)連接；

所述太赫茲全頻段倍頻芯片(7)包括芯片本體(71)和分別設(shè)置于芯片本體(71)上的太赫茲肖特基串聯(lián)管對(duì)(72)、輸入端波導(dǎo)微帶耦合單元(73)、輸出端波導(dǎo)微帶耦合單元(74)、高低阻低通濾波器(75)、直流偏置線(76)和梁式引線(77)；

太赫茲肖特基串聯(lián)管對(duì)(72)內(nèi)形成直流和射頻回路，太赫茲肖特基串聯(lián)管對(duì)(72)的第一端連接輸出端波導(dǎo)微帶耦合單元(74)，太赫茲肖特基串聯(lián)管對(duì)(72)的第二端連接高低阻低通濾波器(75)，太赫茲肖特基串聯(lián)管對(duì)(72)的第三端連接直流偏置線(76)，太赫茲肖特基串聯(lián)管對(duì)(72)的第四端連接接地梁式引線(77)，高低阻低通濾波器(75)通過(guò)輸入端波導(dǎo)微帶耦合單元(73)連接第一匹配波導(dǎo)(3)，輸出端波導(dǎo)微帶耦合單元(74)連接第二匹配波導(dǎo)(5)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全頻段太赫茲四倍頻模塊，其特征在于，還包括直流饋線(10)和SMA接頭(11)，所述直流饋線(10)連接在所述太赫茲全頻段倍頻芯片(7)和SMA接頭之間，所述SMA接頭(11)用于引入外接電源。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全頻段太赫茲四倍頻模塊，其特征在于，所述太赫茲肖特基串聯(lián)管對(duì)(72)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為串聯(lián)結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全頻段太赫茲四倍頻模塊，其特征在于，所述太赫茲全頻段倍頻芯片(7)包括砷化鎵薄膜或石英基底。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全頻段太赫茲四倍頻模塊，其特征在于，所述太赫茲全頻段倍頻芯片(7)的厚度介于2um～50um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全頻段太赫茲四倍頻模塊，其特征在于，所述金屬上基座(1)和金屬下基座(2)的兩側(cè)分別設(shè)置連接標(biāo)準(zhǔn)法蘭盤(8)接口。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全頻段太赫茲四倍頻模塊，其特征在于，所述金屬上基座(1)和金屬下基座(2)通過(guò)定位銷(9)連接。